羽深 等 (ハブカ ヒトシ)

HABUKA Hitoshi

所属組織

大学院工学研究院 機能の創生部門

職名

教授

生年

1957年

研究キーワード

エッチング、シリコン、プロセス、加熱技術、結晶成長、洗浄、装置、炭化珪素、電子材料、表面

メールアドレス

メールアドレス

ホームページ

http://www.habukalab.ynu.ac.jp/



ORCID  https://orcid.org/0000-0001-9931-5915

代表的な業績 【 表示 / 非表示

  • 【論文】 Model on Transport Phenomena and Epitaxial Growth of Silicon Thin Film in SiHCl3-H2 System under Atmospheric Pressure,   1996年

    【論文】 Parallel Langmuir Processes for Silicon Epitaxial Growth in a SiHCl3-SiHx-H2 System  2017年

    【論文】 Quick Cleaning Process for Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition Reactor  2017年

学歴 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1996年

    広島大学   工学研究科   化学工学専攻   博士課程   修了

  •  
    -
    1981年

    京都大学   理学研究科   化学専攻   修士課程(博士前期課程)   修了

  •  
    -
    1979年

    新潟大学   理学部   化学科   卒業

学位 【 表示 / 非表示

  • 博士(工学) - 広島大学

  • 理学修士 - 京都大学

学内所属歴 【 表示 / 非表示

  • 2002年4月
    -
    現在

    専任   横浜国立大学   大学院工学研究院   機能の創生部門   教授  

  • 2001年4月
    -
    2002年3月

    専任   横浜国立大学   大学院工学研究院   機能の創生部門   助教授  

  • 2000年4月
    -
    2001年3月

    専任   横浜国立大学   工学部   助教授  

  • 2018年4月
    -
    現在

    併任   横浜国立大学   大学院理工学府   化学・生命系理工学専攻   教授  

  • 2011年4月
    -
    現在

    併任   横浜国立大学   理工学部   化学・生命系学科   教授  

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学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 2003年4月
    -
    2004年3月

      九州大学   先導物質科学研究所   非常勤講師

  • 1986年4月
    -
    2000年3月

      信越化学工業株式会社   半導体磯部研究所   /

所属学協会 【 表示 / 非表示

  •  
     
     
     

    応用物理学会

  •  
     
     
     

    化学工学会

  •  
     
     
     

    日本結晶成長学会

  •  
     
     
     

    Electrochemical Society

  •  
     
     
     

    American chemical Society

研究分野 【 表示 / 非表示

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 反応工学、プロセスシステム工学

  • ナノテク・材料 / 応用物性

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • 半導体シリコンエピタキシャル成長に関する研究

    共同研究  

    研究期間:

  • 炭化珪素結晶技術(エッチング)

    その他の研究制度  

    研究期間:

  • 洗浄装置内の現象解析と開発

    研究期間:

  • 分子の表面吸着と汚染

    研究期間:

  • 光(赤外線など)による加熱技術

    その他の研究制度  

    研究期間:

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著書 【 表示 / 非表示

  • 先端パワーデバイス実務技術(エレクトロニクスシリーズ)

    羽深等(監修), 宮代文夫(監修), 山田 靖(監修)( 担当: 共著 ,  範囲: 「1.1パワーデバイス実装技術の重要性と人材育成」「2.2結晶およびウエハ材料」)

    シーエムシー出版  2021年7月  ( ISBN:978-4-7813-1612-3

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    総ページ数:309   担当ページ:2-9、55-71   記述言語:日本語 著書種別:学術書

  • -5G/Beyond 5Gに向けた- 高速・高周波対応部材の最新開発動向

    郭 碧濤, 羽深 等 他( 担当: 共著 ,  範囲: 変性ビスマレイミド樹脂への低誘電性特性、高耐熱性の付与技術)

    技術情報協会  2021年2月  ( ISBN:978-4-86104-828-9

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    総ページ数:653   担当ページ:第2章7節110-118   記述言語:日本語 著書種別:学術書

  • Manufacturing Systems: Recent Progress and Future Directions

    Mohamed Arezki (Editor), Hitoshi habuka( 担当: 共著 ,  範囲: Parallel Langmuir Process ans Its Application for Silicon Epitaxial Film manufacturing)

    Nova Science Publishers  2020年10月  ( ISBN:978-1-53618-763-2

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    総ページ数:562   担当ページ:第1章1-24   記述言語:英語 著書種別:学術書

  • 最新実用真空技術総覧

    著者 最新実用真空技術総覧編集委員会 (編)( 担当: 共著)

    エヌ・ティー・エス  2019年2月  ( ISBN:978-4-86043-559-2

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    担当ページ:651-655   記述言語:日本語 著書種別:学術書

  • Polycrystalline Films

    Hitoshi Habuka( 担当: 共著)

    Nova Publisher  2017年  ( ISBN:9781536108187

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    記述言語:英語 著書種別:学術書

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論文 【 表示 / 非表示

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総説・解説記事等 【 表示 / 非表示

  • Deposition and etching behaviour of boron trichloride gas at silicon surface

    Mitsuko Muroi and Ayami Yamada and Ayumi Saito and Hitoshi Habuka

    Journal of Crystal Growth   529   125301   2020年1月

    DOI

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)   出版者・発行元:Elsevier {BV}   共著  

  • 化学工学年鑑、6.6CVDプロセス

    霜垣幸浩、羽深等、築根敦弘

    化学工学   79 ( 10 )   759 - 760   2015年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(その他)   共著  

    化学気相堆積法に関わる化学工学研究・開発の平成26年における動向について解説した。

  • 化学工学年鑑、12. エレクトロニクス・実装プロセス工学、12.1 半導体材料プロセス

    化学工学   78 ( 10 )   729   2014年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(その他)   単著  

    エレクトロニクスに関わる化学工学研究・開発の平成25年における動向について解説した。

  • ミニマル集光型CVD炉

    池田伸一、石田由起、原史朗、羽深等、中戸克彦、三ヶ原孝則

    クリーンテクノロジー   43 - 45   2013年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(その他)   共著  

    ハーフインチウエハに化学気相堆積させる場合の加熱方法について解説し、シリコンエピタキシャル成長の方法と条件について紹介した

  • 化学工学年鑑、12. エレクトロニクス・実装プロセス工学、12.1 半導体材料プロセス

    化学工学   77 ( 10 )   745   2013年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(その他)   単著  

    エレクトロニクスに関わる化学工学研究・開発の平成24年における動向について解説した。

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作品・芸術・データベース等 【 表示 / 非表示

  • 環境空気中有機物濃度測定法に関する特許

    2000年

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    作品分類:その他  

  • シリコン表面清浄化方法に関する特許

    1999年

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    作品分類:その他  

  • 結晶成長表面条件に関する特許

    1997年

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    作品分類:その他  

  • 結晶薄膜厚さの均一化方法に関する特許

    1996年

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    作品分類:その他  

  • 発光ダイオードの製造方法に関する特許

    1989年

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    作品分類:その他  

受賞 【 表示 / 非表示

  • 空気清浄協会、論文賞

    2003年    

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 水晶振動子法と多成分系有機物吸着汚染モデルによる表面吸着分子間相互作用測定法研究

    2006年4月 - 2008年3月

    科学研究費補助金  基盤研究(C)

    代表者:羽深等

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    資金種別:競争的資金

研究発表 【 表示 / 非表示

  • Increase in Silicon Film Deposition Rate in a SiHCl3-SiHx-H2 System

    A. Saito, A. Yamada, A. Sakurai and H. Habuka

    18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy  (Nagoya, Japan) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya, Japan  

    クロロシラン系のシリコンエピタキシャル成長における成長速度飽和を超えるために、微量の珪素水素化物を添加することを提案した。その反応機構と結果を紹介し、本提案の方法が有効であることを報告した。

  • Transport Phenomena in a Slim Vertical CVD Reactor for Minimal Manufacturing

    A. Yamada, N. Li, M. Matsuo, H. Habuka, Y. Ishida, S. Ikeda and S. Hara

    18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy  (Nagoya, Japan) 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya, Japan  

    ミニマルマニュファクチャリングに用いられる化学気相堆積装置内の移動現象を解析し、ガス流量を抑えて自然対流の状態を作り、低速の基板回転を活用することにより効率的にシリコンエピタキシャル成長できることを報告した。

  • In Situ cleaning process of silicon carbide epitaxial reactor for removing film-type deposition formed on susceptor

    Kosuke Mizuno, Hitoshi Habuka, Yuuki Ishida, Toshiyuki Ohno

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015  (Naxos, Italy) 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:その他外国語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Naxos, Italy  

    三フッ化塩素を用いて炭化珪素CVD装置のクリーニングする技術を開発するため、サセプタ試料の表面に膜状に炭化珪素を形成し、除去するための温度を調査した。

  • Etching rate behavior of 4H-silicon carbide epitaxial film using chlorine trifluoride gas

    Asumi Hirooka, Hitoshi Habuka, Tomohisa Kato

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015  (Naxos, Italy) 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:その他外国語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Naxos, Italy  

    三フッ化塩素を用いて炭化珪素エピタキシャル膜をエッチングする速度を測定し、単結晶基板のエッチング速度と差が無い事を把握し。その理由についても考察した。

  • Numerical evaluation of silicon epitaxial growth for 450mm Ø substrate

    M. Matsui and H. Habuka

    EuroCVD20  (Sempach, Switzerland) 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:その他外国語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sempach, Switzerland  

    直径450mmのシリコンウエハ上にシリコンエピタキシャル成長をする場合について、数値計算により予測した結果を報告した。

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共同研究希望テーマ 【 表示 / 非表示

  • 電子材料生産のための反応装置・プロセス研究

共同・受託研究情報 【 表示 / 非表示

  • 結晶材料エッチング技術開発

    国内共同研究  

    研究期間: 2004年11月  -  2007年3月 

  • 薄膜形成装置内輸送現象解析

    国内共同研究  

    研究期間: 2004年04月  -  2007年3月 

  • 半導体薄膜成長装置技術の研究

    提供機関: LS社  企業等からの受託研究  

    研究期間: 2001年07月  -  2001年12月 

 

担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 2021年度   エレクトロニクス実装実習F

    大学院理工学府

  • 2021年度   エレクトロニクス実装実習S

    大学院理工学府

  • 2021年度   イノベーション化学プロセス実習F

    大学院理工学府

  • 2021年度   イノベーション化学プロセス実習S

    大学院理工学府

  • 2021年度   プロセス工学技術創生実習F

    大学院理工学府

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委員歴 【 表示 / 非表示

  • 国立大学教育研究評価委員会

    2020年02月 - 2021年3月  専門委員

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    委員区分:その他 

  • 科学研究費委員会

    2018年12月 - 2019年11月  専門委員

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    委員区分:学協会 

  • 第145委員会

    2008年04月 - 現在  委員

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    委員区分:その他 

  • 反応工学部会CVD反応部会

    2007年02月 - 現在  企画幹事

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    委員区分:その他 

  • 理事会

    2006年04月 - 現在  副理事長

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    委員区分:その他 

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社会活動(公開講座等) 【 表示 / 非表示

  • 社外取締役

    役割:その他

    関東電化工業株式会社  取締役会  本社(東京)  2020年7月 - 現在

 

学内活動 【 表示 / 非表示

  • 2021年04月
    -
    現在
      教育研究評議会評議員   (全学委員会)

  • 2017年04月
    -
    現在
      理工学部入試委員長   (全学委員会)

  • 2017年04月
    -
    現在
      副学部長   (その他の主要活動)

  • 2017年04月
    -
    2019年3月
      教育研究評議会評議員   (全学委員会)

  • 2008年04月
    -
    現在
      危険物屋内貯蔵所運営委員会委員長   (全学委員会)