羽深 等 (ハブカ ヒトシ)

HABUKA Hitoshi

所属組織

大学院工学研究院 機能の創生部門

職名

教授

生年

1957年

研究分野・キーワード

電子材料、結晶成長、エッチング、シリコン、炭化珪素、表面、装置、プロセス、洗浄, 加熱技術

メールアドレス

メールアドレス

ホームページ

http://www.habukalab.ynu.ac.jp/



代表的な業績 【 表示 / 非表示

  • 【論文】 Model on Transport Phenomena and Epitaxial Growth of Silicon Thin Film in SiHCl3-H2 System under Atmospheric Pressure,   1996年

    【論文】 Parallel Langmuir Processes for Silicon Epitaxial Growth in a SiHCl3-SiHx-H2 System  2017年

    【論文】 Quick Cleaning Process for Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition Reactor  2017年

出身学校 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1979年

    新潟大学   理学部   化学科   卒業

出身大学院 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1996年

    広島大学  工学研究科  化学工学専攻  博士課程  修了

  •  
    -
    1981年

    京都大学  理学研究科  化学専攻  修士課程(博士前期課程)  修了

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 博士(工学) -  広島大学

  • 理学修士 -  京都大学

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 2003年04月
    -
    2004年03月

      九州大学   先導物質科学研究所   非常勤講師

  • 1986年04月
    -
    2000年03月

      信越化学工業株式会社   半導体磯部研究所   /

所属学会 【 表示 / 非表示

  •  
     
     
     

    応用物理学会

  •  
     
     
     

    化学工学会

  •  
     
     
     

    日本結晶成長学会

  •  
     
     
     

    Electrochemical Society

  •  
     
     
     

    American chemical Society

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 反応工学・プロセスシステム

  • 応用物性

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • 炭化珪素結晶技術(エッチング)

    その他の研究制度  

    研究期間:  - 

  • 洗浄装置内の現象解析と開発

    研究期間:  - 

  • 分子の表面吸着と汚染

    研究期間:  - 

  • 光(赤外線など)による加熱技術

    その他の研究制度  

    研究期間:  - 

  • 半導体シリコン表面の化学過程に関する研究

    共同研究  

    研究期間:  - 

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著書 【 表示 / 非表示

  • 最新実用真空技術総覧

    著者 最新実用真空技術総覧編集委員会 (編) (担当: 共著 )

    エヌ・ティー・エス  2019年02月 ISBN: 978-4-86043-559-2

  • Polycrystalline Films

    Hitoshi Habuka (担当: 共著 )

    Nova Publisher  2017年 ISBN: 9781536108187

  • Silicon Epitaxial Reactor for Minimal Manufacturing

    Hitoshi Habuka (担当: 単著 )

    "Epitaxy" Editor Miao Zhong  2017年 ISBN: 9789535152514

  • Advances in Medicine and Biology

    Samar Soliman, Lavanya Elangovan, Yong Du, and Chandra Mohan, Parthasarathy Arumugam and Joon Myong Song, Xiu Liu and Yongzhen Gong, Ana Pilipović and MihaljPoša, Hitoshi Habuka, Spyridoula N. Papoutsi, Barbara Wolgamuth, Michelangelo Maestri, Enrica Bonanni, Nicholas-Tiberio Economou, Mélissa Simard, Isabelle Lorthois, Maxim Maheux, Bryan Roy, Louis-Charles Masson, Alexandre Morin, and Roxane Pouliot, Natavudh Townamchai and Somchai Eiam-Ong (担当: 共著 , 担当範囲: 担当の章を単独で執筆した。 )

    Nova Science Publishers  2016年09月 ISBN: 9781634855679

     概要を見る

    固体表面に吸着脱離する有機物分子の挙動を水晶振動子を用いてその場測定し、解析する方法を解説した。特に、有機物分子間に相互作用が生じる場合について詳述した。

  • Chemical Vapor Deposition - Recent Advances and Applications in Optical, Solar Cells and Solid State Devices

    Hitoshi Habuka (担当: 共著 , 担当範囲: 担当の章を単独で執筆した。 )

    InTech  2016年09月 ISBN: 9789535125730

     概要を見る

    化学気相堆積法において生起する熱、流れ、堆積などの諸現象を、ランガサイト結晶振動子を用いてその場観察する方法と解釈方法について紹介し、その結果を解説した。

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論文 【 表示 / 非表示

  • Exposure of Tantalum Carbide, Silicon Nitride and Aluminum Nitride to Chlorine Trifluoride Gas

    Haruguchi Miyu, Kawasaki Ryohei, Habuka Hitoshi, Takahashi Yoshinao

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   8 ( 3 ) P175 - P179   2019年03月

    共著

    Web of Science DOI

  • Exposure of Tantalum Carbide, Silicon Nitride and Aluminum Nitride to Chlorine Trifluoride Gas

    Miyu Haruguchi,Ryohei Kawasaki,Hitoshi Habuka,Yoshinao Takahashi

    ECS Journal of Solid State Science and Technology   8 ( 3 ) 175 - 179   2019年

    共著

    DOI

  • Real time evaluation of silicon epitaxial growth process by exhaust gas measurement using quartz crystal microbalance

    Hitoshi Habuka,Mitsuko Muroi,Miya Matsuo,Yuuki Ishida,Shiro Hara,Shin-Ichi Ikeda

    Materials Science in Semiconductor Processing   88   192 - 197   2018年12月  [査読有り]

    共著

    DOI

  • Advantages of a slim vertical gas channel at high SiHCl3 concentrations for atmospheric pressure silicon epitaxial growth

    Yuuki Ishida,Shin-Ichi Ikeda,Shiro Hara,Hitoshi Habuka,Kenta Irikura,Mitsuko Muroi,Ayami Yamada,Miya Matsuo

    Materials Science in Semiconductor Processing   87   13 - 18   2018年11月  [査読有り]

    共著

    DOI

  • Water Outlet Design of Wet Cleaning Bath for 300-mm Diameter Silicon Wafers

    Matsuo Miya, Miyazaki Kento, Habuka Hitoshi, Goto Akihiro

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   7 ( 9 ) N123 - N127   2018年08月

    共著

    Web of Science DOI

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総説・解説記事 【 表示 / 非表示

  • 化学工学年鑑、6.6CVDプロセス

    霜垣幸浩、羽深等、築根敦弘

    化学工学   79 ( 10 ) 759 - 760   2015年10月

    総説・解説(その他)   共著

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    化学気相堆積法に関わる化学工学研究・開発の平成26年における動向について解説した。

  • 化学工学年鑑、12. エレクトロニクス・実装プロセス工学、12.1 半導体材料プロセス

    化学工学   78 ( 10 ) 729   2014年10月

    総説・解説(その他)   単著

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    エレクトロニクスに関わる化学工学研究・開発の平成25年における動向について解説した。

  • ミニマル集光型CVD炉

    池田伸一、石田由起、原史朗、羽深等、中戸克彦、三ヶ原孝則

    クリーンテクノロジー     43 - 45   2013年12月

    総説・解説(その他)   共著

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    ハーフインチウエハに化学気相堆積させる場合の加熱方法について解説し、シリコンエピタキシャル成長の方法と条件について紹介した

  • 化学工学年鑑、12. エレクトロニクス・実装プロセス工学、12.1 半導体材料プロセス

    化学工学   77 ( 10 ) 745   2013年10月

    総説・解説(その他)   単著

     概要を見る

    エレクトロニクスに関わる化学工学研究・開発の平成24年における動向について解説した。

  • 半導体材料プロセスにおける原子層成長の展開:薄膜作製装置のクリーニング技術

    真空   54 ( 2 ) 97 - 104   2011年02月

    総説・解説(その他)   単著

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作品・芸術・データベース等 【 表示 / 非表示

  • 環境空気中有機物濃度測定法に関する特許

    その他 

    2000年
     
     
     

  • シリコン表面清浄化方法に関する特許

    その他 

    1999年
     
     
     

  • 結晶成長表面条件に関する特許

    その他 

    1997年
     
     
     

  • 結晶薄膜厚さの均一化方法に関する特許

    その他 

    1996年
     
     
     

  • 発光ダイオードの製造方法に関する特許

    その他 

    1989年
     
     
     

学術関係受賞 【 表示 / 非表示

  • 空気清浄協会、論文賞

    2003年    

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 水晶振動子法と多成分系有機物吸着汚染モデルによる表面吸着分子間相互作用測定法研究

    基盤研究(C)

    研究期間:  2006年04月  -  2008年03月  代表者:  羽深等

研究発表 【 表示 / 非表示

  • Increase in Silicon Film Deposition Rate in a SiHCl3-SiHx-H2 System

    A. Saito, A. Yamada, A. Sakurai and H. Habuka

    18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy  (Nagoya, Japan)  2016年08月  

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    クロロシラン系のシリコンエピタキシャル成長における成長速度飽和を超えるために、微量の珪素水素化物を添加することを提案した。その反応機構と結果を紹介し、本提案の方法が有効であることを報告した。

  • Transport Phenomena in a Slim Vertical CVD Reactor for Minimal Manufacturing

    A. Yamada, N. Li, M. Matsuo, H. Habuka, Y. Ishida, S. Ikeda and S. Hara

    18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy  (Nagoya, Japan)  2016年08月  

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    ミニマルマニュファクチャリングに用いられる化学気相堆積装置内の移動現象を解析し、ガス流量を抑えて自然対流の状態を作り、低速の基板回転を活用することにより効率的にシリコンエピタキシャル成長できることを報告した。

  • In Situ cleaning process of silicon carbide epitaxial reactor for removing film-type deposition formed on susceptor

    Kosuke Mizuno, Hitoshi Habuka, Yuuki Ishida, Toshiyuki Ohno

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015  (Naxos, Italy)  2015年10月  

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    三フッ化塩素を用いて炭化珪素CVD装置のクリーニングする技術を開発するため、サセプタ試料の表面に膜状に炭化珪素を形成し、除去するための温度を調査した。

  • Etching rate behavior of 4H-silicon carbide epitaxial film using chlorine trifluoride gas

    Asumi Hirooka, Hitoshi Habuka, Tomohisa Kato

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015  (Naxos, Italy)  2015年10月  

     概要を見る

    三フッ化塩素を用いて炭化珪素エピタキシャル膜をエッチングする速度を測定し、単結晶基板のエッチング速度と差が無い事を把握し。その理由についても考察した。

  • Numerical evaluation of silicon epitaxial growth for 450mm Ø substrate

    M. Matsui and H. Habuka

    EuroCVD20  (Sempach, Switzerland)  2015年07月  

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    直径450mmのシリコンウエハ上にシリコンエピタキシャル成長をする場合について、数値計算により予測した結果を報告した。

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共同研究希望テーマ 【 表示 / 非表示

  • 電子材料生産のための反応装置・プロセス研究

共同・受託研究情報 【 表示 / 非表示

  • 結晶材料エッチング技術開発

    国内共同研究  

    研究期間: 2004年11月  -  2007年03月 

  • 薄膜形成装置内輸送現象解析

    国内共同研究  

    研究期間: 2004年04月  -  2007年03月 

  • 半導体薄膜成長装置技術の研究

    提供機関: LS社  企業等からの受託研究  

    研究期間: 2001年07月  -  2001年12月 

 

担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 大学院理工学府  プロセス工学技術創生実習F

  • 大学院理工学府  プロセス工学技術創生実習S

  • 大学院理工学府  プロセス工学解析実習F

  • 大学院理工学府  プロセス工学解析実習S

  • 大学院理工学府  化学応用・バイオ演習D

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学外審議会・委員会等 【 表示 / 非表示

  • 科学研究費委員会

    2018年12月
    -
    2019年11月

    学協会   専門委員

  • 第145委員会

    2008年04月
    -
    継続中

    その他   委員

  • 反応工学部会CVD反応部会

    2007年02月
    -
    継続中

    その他   企画幹事

  • 理事会

    2006年04月
    -
    継続中

    その他   副理事長

  • 理事会

    2006年04月
    -
    継続中

    その他   理事

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