羽路 伸夫 (ハネジ ノブオ)

HANEJI Nobuo

所属組織

大学院工学研究院 知的構造の創生部門

職名

教授

生年

1957年

メールアドレス

メールアドレス

ホームページ

http://www.hanelab.ynu.ac.jp/



学歴 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1985年

    東京大学   工学系研究科   電子工学専攻   博士課程   修了

  •  
    -
    1982年

    東京大学   工学系研究科   電子工学専攻   修士課程(博士前期課程)   修了

  •  
    -
    1980年

    東京大学   工学部   電子工学科   卒業

学位 【 表示 / 非表示

  • 工学博士 - 東京大学

学内所属歴 【 表示 / 非表示

  • 2003年10月
    -
    現在

    専任   横浜国立大学   大学院工学研究院   知的構造の創生部門   教授  

  • 2001年4月
    -
    2003年9月

    専任   横浜国立大学   大学院工学研究院   知的構造の創生部門   助教授  

  • 1999年4月
    -
    2001年3月

    専任   横浜国立大学   大学院工学研究科   助教授  

  • 1989年6月
    -
    1999年3月

    専任   横浜国立大学   工学部   助教授  

  • 1985年4月
    -
    1989年5月

    専任   横浜国立大学   工学部   講師  

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学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 1997年6月
    -
    1999年3月

      東京大学   大規模集積システム設計教育研究センター   助教授

研究分野 【 表示 / 非表示

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • シリコン ゲートスタックに関する研究

    研究期間:

著書 【 表示 / 非表示

  • アナログ集積回路設計技術

    浅田邦博,永田 穰 監修( 担当: 共著)

    培風館  2003年7月 

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    記述言語:日本語 著書種別:その他

    8.帰還 を担当

学位論文 【 表示 / 非表示

  • SiO2中のトラップによる電子捕獲に関する研究

    羽路 伸夫

    1985年3月

    学位論文(博士)   単著  

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    東京大学
    MOSFETのゲート絶縁膜に用いられるシリコン酸化膜中の電子トラップについて,アバランシェ注入による測定システムの構築と,トラップ密度と捕獲断面積の新しい解析手法を提案し,その有効性を明らかにした.また,プラズマ陽極酸化に塩素を添加することが,膜質の改善に有効であることも明らかにした.

  • 電子ビームアニールに関する研究

    羽路 伸夫

    1982年3月

    学位論文(修士)   単著  

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    東京大学
    Siへのイオン打ち込み後のダメージの回復について,不純物の再分布が小さい低電圧大電流の走査型電子ビームアニールを行い,特性を評価した.また,本方法を用いて自己整合型MOSFETを試作した.

論文 【 表示 / 非表示

  • Preparation of Amorphous Fluorinated Carbon Film Using Low Global-Warming Potential Gas, C4F6, by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

    Hiroki Watanabe, Takumi Tokimitsu, Jyunko Shiga, Nobuo Haneji and Yukihiro Shimogaki

    Jap. J. Appl. Phys   45 ( 6 )   L151 - L153   2006年2月  [査読有り]

    Web of Science

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著  

  • Improved Etched Surface Morphology in Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Etching of GaN by Cyclic Injection of CH4/H2/Ar and O2 with Constant Ar Flow

    Taro Arakawa, Yoshiki Awa, Tomoyoshi Ide, Nobuo Haneji, Kunio Tada, Masakazu Sugiyama, Hiromasa Shi … 全著者表示

    Jap. J. Appl. Phys   44 ( 7B )   5819 - 5823   2005年6月  [査読有り]

    Web of Science

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著  

  • Electrical and Thermal Stability Characteristics of HfCN Films as Metal Gate-Electrode Synthesized by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Wenwu Wang, Toshihide Nabatame, Nobuo Haneji and Yukihiro Shimogaki

    Jap. J. Appl. Phys   44 ( 32 )   L1019 - 1021   2005年6月  [査読有り]

    Web of Science

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著  

  • 液相堆積シリコン酸化膜/シリコン界面特性の改善

    羽路伸夫,ポーンケオ・チャンタマリー,毛利重信

    電気学会論文誌C   123 ( 10 )   1695 - 1699   2003年10月  [査読有り]

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著  

  • Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Etching of III-V Semiconductors by Cyclic Injection of CH4/H2/Ar and O2 with Constant Ar Flow

    N. Haneji, G. Segami, T. Ide, T. Suzuki, T. Arakawa, K. Tada, Y. Shimogaki and Y. Nakano

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 ( 6B )   3958 - 3961   2003年6月  [査読有り]

    Web of Science

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著  

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総説・解説記事等 【 表示 / 非表示

  • シリコン酸化膜を水中で作る-室温での液相堆積法

    BREAK THROUG   161   7 - 10   1999年

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(その他)   単著  

共同・受託研究情報 【 表示 / 非表示

  • WLPにおける内蔵キャパシタンス

    国内共同研究  

    研究期間: 2005年10月  -  2007年3月 

 

担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 2022年度   半導体デバイス特論

    大学院理工学府