羽路 伸夫 (ハネジ ノブオ)

HANEJI Nobuo

所属組織

大学院工学研究院 知的構造の創生部門

職名

教授

生年

1957年

メールアドレス

メールアドレス

ホームページ

http://www.hanelab.ynu.ac.jp/



出身学校 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1980年

    東京大学   工学部   電子工学科   卒業

出身大学院 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1985年

    東京大学  工学系研究科  電子工学専攻  博士課程  修了

  •  
    -
    1982年

    東京大学  工学系研究科  電子工学専攻  修士課程(博士前期課程)  修了

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 工学博士 -  東京大学

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 1997年06月
    -
    1999年03月

      東京大学   大規模集積システム設計教育研究センター   助教授

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 電子・電気材料工学

  • 電子デバイス・電子機器

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • シリコン ゲートスタックに関する研究

    研究期間:  - 

著書 【 表示 / 非表示

  • アナログ集積回路設計技術

    浅田邦博,永田 穰 監修 (担当: 共著 )

    培風館  2003年07月

     概要を見る

    8.帰還 を担当

学位論文 【 表示 / 非表示

  • SiO2中のトラップによる電子捕獲に関する研究

    羽路 伸夫

      1985年03月

    学位論文(博士)   単著

     概要を見る

    東京大学 MOSFETのゲート絶縁膜に用いられるシリコン酸化膜中の電子トラップについて,アバランシェ注入による測定システムの構築と,トラップ密度と捕獲断面積の新しい解析手法を提案し,その有効性を明らかにした.また,プラズマ陽極酸化に塩素を添加することが,膜質の改善に有効であることも明らかにした.

  • 電子ビームアニールに関する研究

    羽路 伸夫

      1982年03月

    学位論文(修士)   単著

     概要を見る

    東京大学 Siへのイオン打ち込み後のダメージの回復について,不純物の再分布が小さい低電圧大電流の走査型電子ビームアニールを行い,特性を評価した.また,本方法を用いて自己整合型MOSFETを試作した.

論文 【 表示 / 非表示

  • Preparation of Amorphous Fluorinated Carbon Film Using Low Global-Warming Potential Gas, C4F6, by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

    Hiroki Watanabe, Takumi Tokimitsu, Jyunko Shiga, Nobuo Haneji and Yukihiro Shimogaki

    Jap. J. Appl. Phys   45 ( 6 ) L151 - L153   2006年02月  [査読有り]

    共著

    Web of Science

  • Improved Etched Surface Morphology in Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Etching of GaN by Cyclic Injection of CH4/H2/Ar and O2 with Constant Ar Flow

    Taro Arakawa, Yoshiki Awa, Tomoyoshi Ide, Nobuo Haneji, Kunio Tada, Masakazu Sugiyama, Hiromasa Shimizu, Yukihiro Shimogaki and Yoshiaki Nakano

    Jap. J. Appl. Phys   44 ( 7B ) 5819 - 5823   2005年06月  [査読有り]

    共著

    Web of Science

  • Electrical and Thermal Stability Characteristics of HfCN Films as Metal Gate-Electrode Synthesized by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Wenwu Wang, Toshihide Nabatame, Nobuo Haneji and Yukihiro Shimogaki

    Jap. J. Appl. Phys   44 ( 32 ) L1019 - 1021   2005年06月  [査読有り]

    共著

    Web of Science

  • 液相堆積シリコン酸化膜/シリコン界面特性の改善

    羽路伸夫,ポーンケオ・チャンタマリー,毛利重信

    電気学会論文誌C   123 ( 10 ) 1695 - 1699   2003年10月  [査読有り]

    共著

  • Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Etching of III-V Semiconductors by Cyclic Injection of CH4/H2/Ar and O2 with Constant Ar Flow

    N. Haneji, G. Segami, T. Ide, T. Suzuki, T. Arakawa, K. Tada, Y. Shimogaki and Y. Nakano

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 ( 6B ) 3958 - 3961   2003年06月  [査読有り]

    共著

    Web of Science

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総説・解説記事 【 表示 / 非表示

  • シリコン酸化膜を水中で作る-室温での液相堆積法

    BREAK THROUG   161   7 - 10   1999年

    総説・解説(その他)   単著

共同・受託研究情報 【 表示 / 非表示

  • WLPにおける内蔵キャパシタンス

    国内共同研究  

    研究期間: 2005年10月  -  2007年03月 

 

担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 大学院理工学府  システムデバイス実習

  • 大学院理工学府  エレクトロニクス実装実習F

  • 大学院理工学府  エレクトロニクス実装実習S

  • 大学院理工学府  集積エレクトロニクスF

  • 大学院理工学府  集積エレクトロニクスS

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