Industrial Property Rights - INAGAKI Satoshi
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チタノシリケートとその製造方法
窪田好浩，稲垣怜史，大野祐耶，池原悠哉
Applicant：横浜国立大学
Application no：2017- 059760 Date applied：2017.3.24
Announcement no：2018-162183 Date announced：2018.10.18
Patent/Registration no：6749594 Date registered：2020.8.14
Country of applicant：Domestic
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AFX型ゼオライトの製法
窪田好浩，稲垣怜史，中澤直人
Applicant：横浜国立大学
Application no：2015-51738 Date applied：2016.3.16
Announcement no：2016-169139 Date announced：2016.9.23
Patent/Registration no：6430303 Date registered：2018.11.9
Country of applicant：Domestic
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チタノシリケートの製造方法
窪田好浩 、稲垣怜史 、大野祐耶
Applicant：国立大学法人横浜国立大学
Application no：2015-185499 Date applied：2015.9.18
Announcement no：2017-057126 Date announced：2017.3.23
Patent/Registration no：6621281 Date registered：2019.11.29
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高Ｓｉ／Ａｌ比のＣＨＡ型ゼオライトの製法
窪田好浩 、稲垣怜史 、福岡拓也
Applicant：国立大学法人横浜国立大学
Application no：2015-049109 Date applied：2015.3.2
Announcement no：2016-169118 Date announced：2016.9.23
Patent/Registration no：6442329 Date registered：2018.11.30
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ゼオライト及びその製造方法並びにパラフィンの接触分解触媒
窪田好浩 、稲垣怜史 、小松来太 、板橋慶治 、大久保達也 、稗田豊彦
Applicant：三井金属鉱業株式会社 、国立大学法人横浜国立大学 、国立大学法人東京大学
Application no：2013-184816 Date applied：2013.9.6
Announcement no：2013-237613 Date announced：2013.11.28
Patent/Registration no：6083903 Date registered：2017.2.3
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ゼオライト及びその製造方法並びにパラフィンの接触分解触媒
窪田好浩 、稲垣怜史 、小松来太 、板橋慶治 、大久保達也 、稗田豊彦
Applicant：三井金属鉱業株式会社 、国立大学法人横浜国立大学 、国立大学法人東京大学
Application no：2012-255811 Date applied：2012.11.22
Announcement no：2013-129590 Date announced：2013.7.4
Patent/Registration no：5470592 Date registered：2014.2.14
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ＭＦＩ型ゼオライト触媒の製造方法およびｐ−キシレンの製造方法
窪田好浩 、稲垣怜史 、荒木泰博
Applicant：ＥＮＥＯＳ株式会社 、国立大学法人横浜国立大学
Application no：2012-198954 Date applied：2012.9.10
Announcement no：2013-066884 Date announced：2013.4.18
Patent/Registration no：6004850 Date registered：2016.9.16
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微細ゼオライトの製法
脇原徹 、多々見純一 、井原章夫 、米屋勝利 、窪田好浩 、稲垣怜史
Applicant：株式会社中村超硬
Application no：2011-188254 Date applied：2011.8.31
Announcement no：2013-049602 Date announced：2013.3.14
Patent/Registration no：5805470 Date registered：2015.9.11
Rights holder：株式会社中村超硬
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炭化水素油及び潤滑油基油の製造方法
窪田好浩 、稲垣怜史 、金子良大 、早坂和章 、尾野秀樹 、永易圭行
Applicant：ＥＮＥＯＳ株式会社 、国立大学法人横浜国立大学
Application no：2009-219574 Date applied：2009.9.24
Announcement no：2011-068728 Date announced：2011.4.7
Patent/Registration no：5299917 Date registered：2013.6.28
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電気二重層キャパシタ用炭素系電極の製造方法
稲垣怜史,窪田好浩,三木俊宏
Applicant：国立大学法人横浜国立大学
Application no：特願2013-239141 Date applied：2013.11.19
Country of applicant：Domestic
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微細ゼオライトの製法
脇原徹,多々見純一,井原章夫,米屋勝利,窪田好浩,稲垣怜史
Applicant：国立大学法人横浜国立大学
Application no：2011-188254 Date applied：2012.8.31
Announcement no：2013-049602 Date announced：2013.3.14
Country of applicant：Domestic
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パラフィンの接触分解法
窪田好浩，稲垣怜史，武智一義
Applicant：国立大学法人横浜国立大学
Application no：2009-051952 Date applied：2009.3.5
Announcement no：2010-202613 Date announced：2010.9.16
Patent/Registration no：第5131624号 Date issued：2013.1.30
Country of applicant：Domestic