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所属組織 |
総合学術高等研究院 |
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職名 |
教授 |
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研究キーワード |
ナノデバイス、トランジスタ、センサ、単一電子、計数統計、非平衡統計力学 |
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関連SDGs |
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西口 克彦 (ニシグチ カツヒコ)
NISHIGUCHI Katsuhiko
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ORCID
学歴 【 表示 ／ 非表示 】
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1998年4月-2000年3月
東京工業大学 理工学研究科 電子物理工学専攻 修士課程（博士前期課程） 修了
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2000年4月-2002年3月
東京工業大学 理工学研究科 電子物理工学専攻 博士課程 修了
学外略歴 【 表示 ／ 非表示 】
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2002年4月-2025年12月
NTT株式会社 物性科学基礎研究所 グループリーダ 特別研究員
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2015年10月-2016年3月
東京工業大学 総合理工学研究科 客員准教授
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2012年8月-2013年8月
デルフト工科大学 客員研究員
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2008年6月
フランス国立科学研究センター（CNRS) 客員研究員
研究分野 【 表示 ／ 非表示 】
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ナノテク・材料 / 応用物理一般
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
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自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理
著書 【 表示 ／ 非表示 】
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Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures
Yasuo Takahashi , Yukinori Ono, Akira Fujiwara, Katsuhiko Nishiguchi, Hiroshi Inokawa（ 担当： 共著 , 範囲: Silicon Single-Electron Devices）
Springer 2008年12月 （ ISBN:9780387786889 ）
記述言語：英語 著書種別：学術書
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Nanotechnology
Yukinori Ono, Hiroshi Inokawa, Yasuo Takahashi, Katsuhiko Nishiguchi, Akira Fujiwara（ 担当： 単著 , 範囲: Single-Electron Transistor and its Logic Application）
Wiley-VCH 2008年7月 （ ISBN:9783527317370 ）
記述言語：英語 著書種別：学術書
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Silicon Nanoelectronics
Hiroshi Mizuta, Katsuhiko Nisihguchi, Shunri Oda（ 担当： 単著 , 範囲: Ballistic Transport in Silicon Nanostructures）
CRC Press 2005年6月 （ ISBN:9781315220857 ）
記述言語：英語 著書種別：学術書
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Shimizu, T; Chida, K; Yamahata, G; Nishiguchi, K
Physical Review Letters 136 ( 11 ) 117103-1 - 117103-7 2026年3月 [査読有り]
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 単著
<jats:p>We measured the energy efficiency of information erasure using silicon DRAM cells capable of counting charges on capacitors at the single-electron level. Our measurements revealed that the efficiency decreased as the erasure error probability decreased, and notably, the Landauer limit was not achieved, even under effectively infinite-time bit erasure. By comparing the measured efficiency with the Landauer limit, we identified a thermodynamic constraint that prevents DRAM from reaching this limit: the inability to prepare the initial state in thermal equilibrium, which in turn, prohibits quasistatic operations. This finding has broad implications for DRAM cells and for many electronic circuits sharing similar structures. Furthermore, it validates our experimental approach to discovering thermodynamic constraints that impose tighter, practically relevant limits, opening a new direction in information thermodynamics research.</jats:p>
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Chida, K; Andrieux, A; Nishiguchi, K
Communications Physics 9 ( 1 ) 2025年12月 [査読有り]
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 共著
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Salhani, C; Chida, K; Shimizu, T; Hayashi, T; Nishiguchi, K
Physical Review Applied 23 ( 2 ) 2025年2月 [査読有り]
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 共著
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Nishiguchi, K; Yamaguchi, H; Fujiwara, A; van der Zant, HSJ; Steele, GA
Applied Physics Letters 122 ( 4 ) 2023年1月 [査読有り]
担当区分：筆頭著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 共著
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Deviation from the law of energy equipartition in a small dynamic-random-access memory
Carles, Pierre-Alix and Nishiguchi, Katsuhiko and Fujiwara, Akira
Japanese Journal of Applied Physics 54 ( 6 ) 2015年 [査読有り]
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 共著
産業財産権 【 表示 ／ 非表示 】
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センサ
西口 克彦, 登坂 仁一郎, 知田 健作
特許番号/登録番号：特許第7513104号
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Si単結晶微粒子積層方法
小田 俊理, 西口 克彦, 趙 新為
特許番号/登録番号：特許第3677558号
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量子サイズ効果型微小電子銃の製造方法
小田 俊理, 趙 新為, 西口 克彦
特許番号/登録番号：特許第3806751号
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自動位相制御単電子トランジスタ素子
西口 克彦, 高橋 庸夫
特許番号/登録番号：特許第4171325号
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Si単結晶微粒子積層方法
小田 俊理, 西口 克彦, 趙 新為
特許番号/登録番号：特許第4337123号
受賞 【 表示 ／ 非表示 】
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36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023) Most Impressive Presentation Award
2023年11月 MNC Room-temperature single-electron sensor for AC signals beyond an RC time constant
受賞者：Katsuhiko Nishiguchi, Akira Fujiwara, Kensaku Chida -
応用物理学会 JJAP論文奨励賞 第38回（2016年度）
2016年09月 応用物理学会 Deviation from the law of energy equipartition in a small dynamic-random-access memory
受賞者：Pierre-Alix Carles (Katsuhiko Nishiguchi、Akira Fujiwara) -
応用物理学会 第7回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞
2016年03月 応用物理学会 シリコンにおける直接・間接光学遷移の電 気的調整
受賞者： 登坂仁一郎、西口克彦、藤原聡 -
応用物理学会 第35回（2013年度）応用物理学会論文賞
2013年09月 応用物理学会 Single-Electron Stochastic Resonance Using Si Nanowire Transistors
受賞者：西口克彦、藤原聡 -
文部科学大臣表彰若手科学者賞 (科学技術分野)
2013年04月 文部科学省 ナノスケール半導体デバイスの高機能化の研 究
受賞者：西口克彦
科研費（文科省・学振）獲得実績 【 表示 ／ 非表示 】
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超低消費エネルギー・高ノイズ耐性を実現する演算メモリ回路の基盤技術創生
研究課題/領域番号：26H02150 2026年4月 - 2030年3月
基盤研究(A)
代表者：西口克彦
担当区分：研究代表者
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多値ＲｅＲＡＭ搭載のナノドットアレイによる多入力多出力フレキシブルデバイスの研究
研究課題/領域番号： 24360128 2012年4月 - 2015年3月
基盤研究(B)
代表者：高橋 庸夫
担当区分：連携研究者 資金種別：競争的資金
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シリコン・シングルドーパント・エレクトロニクス
研究課題/領域番号：20241036 2008年4月 - 2012年3月
基盤研究(A)
代表者：小野 行徳
担当区分：研究分担者
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シリコン集積回路プロセスによる単電子デバイス・回路の研究
研究課題/領域番号：19310093 2007年4月 - 2010年3月
基盤研究(B)
代表者：猪川 洋
担当区分：研究分担者
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シリコンナノドットを用いた論理機能選択デバイス
研究課題/領域番号：19026001 2007年4月 - 2008年3月
特定領域研究
代表者：高橋 庸夫
担当区分：研究分担者
研究発表 【 表示 ／ 非表示 】
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AC-signal sensing beyond cutoff frequency using a DRAM
Chloe Salhani, Kensaku Chida, Toshiaki Hayashi, Katsuhiko Nishiguchi
37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2024)
開催年月日： 2024年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Single-electron circuit for stochastic data processing using nano-MOSFETs
K. Nishiguchi, A. Fujiwara
International Electron Devices Meeting (IEDM) 2007
開催年月日： 2007年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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Room-temperature single-electron transfer and detection with silicon nanodevices
K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi
International Electron Devices Meeting (IEDM) 2004
開催年月日： 2004年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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DRAMセルにおける情報消去の最適輸送
清水貴勢, ヴーバンタン, 齊藤圭司, 知田健作, 山端元音, 西口克彦
日本物理学会 2026年春季大会 26aL1-9
開催年月日： 2026年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
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半導体・絶縁体界面における谷分離の発現機構について
林 稔晶, 影島 博之, 篠原 康, 登坂 仁一郎, 西口 克彦
第73回応用物理学春季学術講演会, 16p-S2_203-11
開催年月日： 2026年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】
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2026年度 先端集積システム解析F
大学院理工学府
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2026年度 先端集積システム解析S
大学院理工学府
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2026年度 先端集積システム設計F
大学院理工学府
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2026年度 先端集積システム設計S
大学院理工学府
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2026年度 新機能電子デバイス
大学院理工学府
委員歴 【 表示 ／ 非表示 】
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International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)
2023年01月 - 現在 組織副委員長
委員区分：学協会
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Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
2025年01月 - 現在 論文副委員長
委員区分：学協会
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International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
2026年01月 - 現在 実行委員
委員区分：学協会
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The International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI)
2025年01月 - 2025年10月 論文委員
委員区分：学協会
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International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)
2022年01月 - 2022年12月 実行委員長
委員区分：学協会