研究者詳細 - 島津　佳弘

論文 - 島津　佳弘

件数 115 件

Environmental Effects on Hysteresis of Transfer Characteristics in Molybdenum Disulfide Field-Effect Transistors

Y. Shimazu, M. Tashiro, S. Sonobe, M. Takahashi

Scientific Reports 6 30084 2016年7月 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

数ナノメートルの２硫化モリブデンの結晶をチャンネルとする電界効果トランジスタ素子を作製し、伝導特性を調べた。Ti/Au 電極を用いることでオーミック特性が得られた。伝達特性に対する雰囲気ガスの影響を、酸素、窒素、水蒸気について調べ、伝達特性のヒステリシスに対して水分子が最も大きな影響をもつこと、水分子がホールトラップとして機能していることを解明した。また、200K前後の低温にすることで、ヒステリシスが消失することを明らかにした。

Observation and calculation of higher-order sideband transitions in a flux qubit coupled to a SQUID-based resonator

Y. Shimazu, R. Shirasaki, S. Toda, H. Yamanashi

J. Phys.: Conf. Ser. 568 052030 2014年12月 [査読有り]

DOI

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

磁束量子ビットと、それの読み出し用のDC-SQUIDに付随する共振器モードが結合することによって生じる高次サイドバンドについて、測定結果と、理論計算の結果を示した。次数が３までのサイドバンド遷移を初めて観測した実験結果であり、遷移行列要素の計算結果によってこれを説明することができた。

Laser-processed rapid fabrication of FET devices with large-scale chemically grown graphene

Shimazu, Y; Ishikawa, R; Akaishi, H

PHYSICS LETTERS A 554 2025年9月

DOI Web of Science

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

CVDグラフェンFETのレーザー加工による作製と電気伝導特性の解析

上野健斗,石川陸人,赤石勇人,島津佳弘

第20回ナノテク交流シンポジウム　予稿集 43 2025年3月

担当区分：最終著者記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）単著

Tunneling spectroscopy study of field-induced superconductivity in MoS2 using top metal contacts

Y. Shimazu, K. Yamada, H. Kobayashi, R. Ishikawa, H. Watanabe, T. Shinchi, and K. Yanai

Abstract of International symposium on nanodevices and quantum technologies 199 2024年12月

担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）単著

Structure and conductivity of organic thin films grown on a CVD graphene

Fujita Ryota, Nagato Akihiro, Ishikawa Rikuto, Shimazu Yoshihiro, Ozawa Kenichi, Mase Kazuhiko, Chi … 全著者表示

日本表面真空学会学術講演会要旨集 2024 ( 0 ) 3P85 2024年

DOI CiNii Research

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：公益社団法人日本表面真空学会共著

Graphene produced by chemical vapor deposition (CVD) is now widely used. It has a polycrystalline structure, in which carbon atoms form 5- and 7-membered rings at the domain boundaries [1]. The relationship between such domain boundaries and transport properties is still poorly understood. Doping effects and conduction properties induced by thin films of organic molecules are of great importance in the device application.In the present work, we focused on oligothiophene (6T) and phtyalocyanine (Pc) molecules because of their excellent electronic properties and other functionalities. It has been reported that thin films of 6T on CVD-graphene in field effect transistors (FETs) slightly improve their performances [2]. However, detailed knowledge of how the molecular adsorption structure and electronic states near the interface affect the performance has not been clarified. Here, we investigated the interaction between graphene and 6T or Pc thin films by atomic force microscopy (AFM), micro-Raman spectroscopy, photoluminescence, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and synchrotron radiation photoemission spectroscopy (KEK BL13B, SPring-8 BL23SU).We also fabricated a FET structure and measured transport properties. Fig. 1. XPS spectra of 6T molecularly adsorbed CVD graphene. Fig. 1 shows the XPS spectra, which clearly show the S2s core level of the 6T molecule. Thickness dependence of the peak intensity is apparent. On the other hand, spectral decomposition of the C1s core level between the graphene substrate and the molecule is rather difficult. Hence, we applied photoelectron spectroscopy with synchrotron radiation to obtain the high-resolution core levels as well as the valence states. Annealing the 6T/Pc films has led significant structural changes, corresponding to the slight changes in the electronic states. We further analyzed the transport properties of a monolayer graphene layer using the FET structure. For example, we found the change in the On/Off ratio by the adsorption of the 6T thin films. Here, we also investigated Pc thin films grown on graphene, and compare the interfacial structures, electronic states and transport properties with those of 6T thin films.[1] S. M. Fus et al., Prog. Surf. Sci. 92 (2017) 176.[2] T.-J. Ha et al., Appl. Phys. Lett. 101 (2012) 033309.

Tunneling spectroscopy of field-induced superconductivity in molybdenum disulfide using top metal contacts

Shimazu Yoshihiro, Yamada Kazuya, Kobayashi Hiroki, Ishikawa Rikuto, Watanabe Haruki, Shinchi Takur … 全著者表示

AIP ADVANCES 13 ( 8 ) 2023年8月 [査読有り]

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Analysis of capacitance and charge accumulation for an electric double layer on porous electrode

Shimazu Yoshihiro

AIP ADVANCES 13 ( 3 ) 2023年3月 [査読有り]

DOI Web of Science

担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）単著

グラフェンFETデバイスの作製と輸送特性への6T分子膜の影響の研究

渡邊春輝、石川陸斗、長門諒浩、藤田凌太、大野真也、島津佳弘

第18回ナノテク交流シンポジウム　予稿集 43 2023年3月

担当区分：最終著者記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）単著

遠隔超伝導量子ビット間通信に向けた量子インターフェースの要求性能評価ならびに超伝導量子ビットの実験的評価

後藤京介, 森優悟, 永山歩, 望月大樹, 渡邊春輝, 黒川穂高, 島津佳弘, 小坂英男

日本物理学会2024年春季大会講演概要集 704 2023年3月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）単著

Strong temperature dependence of transfer characteristics and time constants near freezing point of ionic liquid in an ambipolar electric double layer transistor

Yoshihiro Shimazu, Shotaro Ono

Physics Letters A 452 2022年11月 [査読有り]

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Measurement of capacitance of an electric double layer on porous YBCO electrode

Y. Shimazu

Programme & Abstracts of 11th International Conference on Fine Particle Magnetism 108 2022年10月 [査読有り]

担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）単著

Transport Properties of Molybdenum Disulfide Field Effect Transistors with Titanium Contact

Y. Shimazu, S. Ono, K. Yanai, and S. Toda,

Abstracts of 29th International Conference on Low Temperature Physics (LT29) 266 2022年8月 [査読有り]

担当区分：筆頭著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）単著

Observation of high carrier density, ohmic contact, and metallic conductivity down to 5 K in aluminum-contacted multilayer MoS2 flakes

Shimazu Yoshihiro, Ono Shotaro, Miyazawa Takaaki, Yamada Kazuya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60 ( 11 ) 111001-1 - 111001-7 2021年11月 [査読有り]

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Observation of high carrier density and metallic conductivity down to 5 K in multilayer MoS2 flakes with aluminum contacts

Y. Shimazu, S. Ono, T. Miyazawa, K. Yamada,

Abstract of International Symposium on Novel Materials and Quantum Technologies 75 2021年11月

担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）単著

ホール効果測定により求めたMoS2 FET のキャリア密度の電極依存性

宮澤岳秋、山田和弥、平井浩司、小野正太郎、島津佳弘

ナノ学会第19回大会講演予稿集 2021年5月

担当区分：最終著者,　責任著者記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）単著

ホール効果測定により求めたMoS2 FET のキャリア密度の電極依存性

島津佳弘

ナノ学会第19回大会講演予稿集 - 141 2021年

CiNii Research

記述言語：その他外国語掲載種別：研究論文（学術雑誌）単著

Electron and hole mobilities in ambipolar MoS2 electric-double-layer transistor

Yoshihiro Shimazua, Shotaro Ono, Inoru Shioya

Journal of Applied Physics 128 ( 11 ) 114305-1 - 114305-7 2020年9月 [査読有り]

DOI

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

ナノマテリアルにおける交流弱磁場によるホール効果測定

島津佳弘，岩渕達也，新井建佑，塩谷祈

ナノ学会　第18回大会講演予稿集 2020年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

MoS2をチャネルに用いたEDLT における電気抵抗の温度依存性

小野正太郎、島津佳弘

ナノ学会　第18回大会講演予稿集 2020年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

電子線誘起蒸着法によるプラチナ細線の作製と特性の測定

本多威一郎, 島津佳弘

第15回ナノテク交流シンポジウム予稿集 1 ( 1 ) 21 - 21 2020年3月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

Hall effect measurements using low ac magnetic fields and lock-in technique on field effect transistors with molybdenum disulfide channels

Shimazu Yoshihiro, Iwabuchi Tatsuya, Arai Kensuke, Shioya Inoru

PHYSICS LETTERS A 384 ( 3 ) 126073 2020年1月 [査読有り]

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Electron beam/focused ion beam-assisted deposition of metal electrodes on transition metal dichalcogenides

Honda, S. Ono, I. Shioya, Y. Shimazu

Abstracts of International School and Symposium on Nanoscale Transport and Photonics 2019 1 ( 1 ) 107 - 107 2019年11月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

Work function modulation of electrodes contacted to molybdenum disulfide using an attached metal pad

Yoshihiro Shimazua), Tatsuya Iwabuchi, Kensuke Arai

AIP Advances 9 ( 8 ) 085118 2019年8月 [査読有り]

DOI

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing LLC 共著

その他リンク： https://doi.org/10.1063/1.5108541

Second-harmonic generation from supported carbon nanotube films grown by chemical vapor deposition on fused silica

Okawara Satoru, Kudo Masafumi, Miyamori Mariko, Ohno Shinya, Shimazu Yoshihiro, Tanaka Masatoshi, S … 全著者表示

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 ( 3 ) 2019年3月

DOI Web of Science

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Institute of Physics 共著

Surface second-harmonic generation (SHG) is shown to be observable for carbon nanotube (CNT) films grown by CVD on fused silica. The SHG intensity ratio for incident radiation polarized perpendicular and parallel to the plane of incidence at the fundamental radiation (1064 nm) is observed to have typical values for the two kinds of grown film: a film with aligned CNTs and a film with randomly oriented CNTs lying on a substrate sheet. SHG is discussed to originate not from the CNT bulk but from the film surface. The polarization ratio obtained for the two kinds of film was consistent with that calculated for a composite film of spheroidal particles with varying diameters employed to approximate the actual CNT films. The present findings may be applied to in situ evaluation of the initial stage in the CVD growth process of CNTs.

その他リンク： https://ci.nii.ac.jp/naid/150000117024

交流磁場を用いた層状半導体デバイスのホール効果測定

塩谷祈、岩渕達也、新井建佑、島津佳弘

第14回ナノテク交流シンポジウム予稿集 53 - 53 2019年3月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

Synthesis and Characterization of Zirconium Disulfide Single Crystals and Thin-Film Transistors Based on Multilayer Zirconium Disulfide Flakes

Shimazu Yoshihiro, Fujisawa Yutaro, Arai Kensuke, Iwabuchi Tatsuya, Suzuki Kazuya

CHEMNANOMAT 4 ( 10 ) 1078 - 1082 2018年10月

DOI Web of Science

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

２次元層状物質を用いたFETにおける電気伝導特性の評価

新井建佑、岩渕達也、島津佳弘

第１３回ナノテク交流シンポジウム予稿集 49 2018年3月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

MoS2 を用いたFETにおける電極の影響

岩渕達也、新井建佑、島津佳弘

第１３回ナノテク交流シンポジウム予稿集 36 2018年3月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

Contact-induced doping in aluminum-contacted molybdenum disulfide

Yoshihiro Shimazu, Kensuke Arai and Tatsuya Iwabuchi

Jpn. J. Appl. Phys. 57 015801 2018年1月 [査読有り]

DOI

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Metal-insulator transition in a transition metal dichalcogenide: Dependence on metal contacts

Y Shimazu, K Arai and T Iwabuchi

Journal of Physics: Conf. Series 969 012105 2018年 [査読有り]

DOI

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著

Influence of metal contacts on metal-insulator transition in molybdenum disulfide field effect transistors

T. Iwabuchi, K. Arai and Y. Shimazu

International Symposium on Nanoscale Transport and phoTonics 199 2017年11月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

Hysteresis of Transfer Characteristics in Field-Effect Transistors with a Molybdenum Disulfide Channel (Proceedings of the Nature Research Society)

Y. Shimazu

Proceedings of the Nature Research Society 1 01008 2017年10月 [査読有り] [招待有り]

DOI

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）単著

Field-Effect Transistors Using Thin Flakes of Misfit Layer Compound (LaS)1.20CrS2

Yoshihiro Shimazu Masaya Takanashi Daiki Kurihara,Yutaro Fujisawa, Kensuke Arai,Tatsuya Iwabuchi, … 全著者表示

Advanced Materials Interfaces 4 ( 20 ) 2017年8月 [査読有り]

DOI

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Hysteresis of Transfer Characteristics in Field-Effect Transistors with a Molybdenum Disulfide Channel

Y. Shimazu

Program and abstracts of Nano-Micro Conference 2017 62 2017年6月 [招待有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）単著

2硫化モリブデン電界効果デバイスにおける金属絶縁体転移と電極効果

新井建佑、岩渕達也、島津佳弘

第12回ナノテク交流シンポジウム予稿集 2017年3月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

いくつかの層状化合物における電界効果

藤澤悠太郎、栗原大輝、髙梨雅也、島津佳弘、鈴木和也

第12回ナノテク交流シンポジウム予稿集 2017年3月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

Electric field effect and thermally activated transport in misfit layer compound (LaS)1.20CrS2

Y. Shimazu, M. Takanashi, D. Kurihara, Y. Fujisawa, K. Arai, T. Iwabuchi, and K. Suzuki

Abstracts of 28th International Conference on Low Temperature Physics 445 2017年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

Metal-insulator transition in a transition metal dichalcogenide: Dependence on metal contacts

Y. Shimazu, K. Arai, T. Iwabuchi

Abstracts of 28th International Conference on Low Temperature Physics 419 2017年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

Field-Effect Transistors Using Thin Flakes of Misfit Layer Compound (LaS)1.20CrS2

Y. Shimazu, M. Takanashi, D. Kurihara, Y. Fujisawa, K. Arai, T. Iwabuchi, and K. Suzuki

Advanced Materials Interfaces 4 1700631 2017年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

不整合層状化合物 (LaS)1.2TS2 (T=V,Cr) の電界効果

髙梨雅也、栗原大輝、藤澤悠太郎、島津佳弘、鈴木和也

第21回半導体におけるスピン工学の基礎と応用　講演概要集 2016年12月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

二次元層状化合物GaSとNiPS3における光励起

栗原大輝、藤澤悠太郎、髙梨雅也、島津佳弘、鈴木和也

第21回半導体におけるスピン工学の基礎と応用　講演概要集 2016年12月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

Raman-like transitions in a superconducting quantum circuit and incorporation of a switch made of novel 2D materials

Y. Shimazu, R. Shirasaki

Abstracts of Energy Materials Nanotechnology Meeting on Quantum 36 2016年4月 [招待有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

（開催場所）Phuket, Thailand

磁束量子ビットとDC-SQUIDが結合した系における高次サイドバンド遷移とサイドバンドラビ振動の実験結果と理論解析の結果について講演した。観測された高次サイドバンド遷移が分子におけるラマン遷移と類似の現象であることを議論した。複数の量子ビットの結合を制御するための、電圧で制御することのできる超小型のスイッチとして、新規2次元物質を利用できることを議論し、そのようなスイッチに関する予備的実験結果を報告した。

2硫化モリブデンFETのチャンネル抵抗と接触抵抗のヒステリシス特性

高橋真起、園部哲史、天野春樹、鈴木竣策、田代光輝、中田峰晃、池田友紀、島津佳弘

日本物理学会　第71 回年次大会　講演概要集 71 2280 2016年

DOI

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会共著

その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/jpsgaiyo/71.1/0/71.1_2280/_article/-char/ja/

Characteristics of MoS2 dual-gate FET with ionic-liquid top gating

Y. Shimazu, M. Tashiro, S. Sonobe, M. Takahashi

Abstracts of International Symposium on Nanoscale Transport and Technology 157 2015年11月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

2硫化モリブデンを使って、バックゲートとトップゲートの2重ゲート構造をもつ電界効果トランジスタを作製し、その伝導特性を調べた結果を報告した。トップゲート電圧は、イオン液体DEME-TFSIを通じて印加した。この方法により、非常に大きな電荷をチャンネルに誘起することができる。この素子をトップゲート電圧を入力電圧とする電圧増幅器として用いて、電圧増幅度2.4、カットオフ周波数500Hzを観測した。

Anomalous hysteresis below 1 K in the transfer characteristics of MoS2 field effect transistors

Y. Shimazu, K. Murata, S. Toda

Jpn. J. Appl. Phys. 54 ( 3 ) 031201 2015年3月 [査読有り]

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

２硫化モリブデンの薄い層状結晶を使って電界効果トランジスタ構造の素子を作製し、その特性を室温から希釈冷凍機温度までの広い範囲で測定した。約107までの大きなオンオフ比を得た。1K 以下において、伝達特性に特異なヒステリシスを初めて観測した。この結果を、電極における量子トンネル効果で説明できることを議論した。

超伝導磁束量子ビットとDC-SQUIDの結合によるサイドバンド遷移の理論解析

白崎良演，山梨晴貴，島津佳弘

日本物理学会第70 回年次大会（2015 年）概要集 70 ( 1 ) 1388 2015年

DOI

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会共著

その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/jpsgaiyo/70.1/0/70.1_1388/_article/-char/ja/

磁束量子ビットとDC-SQUIDの結合による高次サイドバンド遷移の観測と理論計算

島津佳弘、白崎良演、戸田駿一、山梨晴貴

日本物理学会　2014年秋季大会　講演概要集第４分冊 2014年9月

DOI

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）共著

3個のジョセフソン接合をもつ磁束量子ビットとDC-SQUIDが結合した系において、サイドバンド遷移を観測することができる。結合度を増加した試料を作製し実験を行うことで、光子数変化M = 3以上の遷移を初めて観測した。結合系のハミルトニアンの固有状態を求め、その間の遷移行列要素を計算した。予想される程度の結合度を仮定した計算により、実験結果を説明するこができた。遷移行列要素の、磁束量子ビットに与える磁束に対する依存性も計算し、実験結果と対応する結果を得た。

室温から希釈冷凍機温度までのMoS2 電界効果トランジスタの伝導特性

村田浩太郎、島津佳弘、戸田駿一、穐近祐介、村島拓朗、田中正俊

日本物理学会第69回年次大会講演概要集 69 ( 1 ) 578 2014年3月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）出版者・発行元：日本物理学会共著

Higher-order sideband transitions and sideband Rabi oscillations in a superconducting flux qubit coupled to a SQUID plasma mode

Y. Shimazu, S. Toda, M. Takahashi, N. Okamura

Abstracts of International Symposium on Nanoscale Transport and Technology 165 2013年11月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著

超伝導量子ビットと共振器が結合した系は、回路QED系とよばれる、重要なハイブリッド量子系である。磁束量子ビットをDC-SQUIDと結合させることで回路QED系が実現でき、量子状態遷移が、エネルギー分光とラビ振動測定によって観測できたことを報告した。共振器内のフォトンの寿命と量子ビットのコヒーレンス時間が十分長い場合は、フォトンのエネルギー分布関数を実験的に求めることができることを議論した。

Observation of Higher-Order Sideband Transitions and First-Order Sideband Rabi Oscillations in a Superconducting Flux Qubit Coupled to a SQUID Plasma Mode

Yoshihiro SHIMAZU, Masaki TAKAHASHI, and Natsuki OKAMURA

J. Phys. Soc. Jpn 82 074710 2013年6月 [査読有り]

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

磁束量子ビットの読み出し用のDC-SQUIDに付随する共振モード（SQUIDプラズマモード）の影響で生じる高次のサイドバンド遷移を初めて観測した。また、量子ビットのラビ振動と、結合系における１次のサイドバンド遷移に伴うラビ振動を観測し、これらのラビ振動の周波数をもとに、量子ビットとSQUIDプラズマモードの間の結合定数を評価できることを示した。

磁束量子ビットにおけるサイドバンドラビ振動数からの結合定数の推定

島津佳弘、岡村夏樹、戸田駿一、村田浩太郎

日本物理学会第68回年次大会講演概要集第４分冊 68 718 2013年

DOI

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会共著

その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/jpsgaiyo/68.1.4/0/68.1.4_786_4/_article/-char/ja/

Sideband transitions near symmetry point in three-Josephson-junction flux qubit

Y. Shimazu, N. Okamura, S. Toda, K. Murata

Abstracts of PRACQSYS 2012 (Principles and applications of control in quantum systems) 35 2012年9月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著

低エネルギー振動子モードと結合した磁束量子ビットにおけるBlue sidebandのラビ振動の観測 II

島津佳弘、岡村夏樹、戸田駿一、村田浩太郎

日本物理学会2012年秋季大会講演概要集第４分冊 67 ( 2-4 ) 641 2012年8月

DOI

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会共著

その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/jpsgaiyo/67.2.4/0/67.2.4_641_1/_article/-char/ja/

低エネルギー振動子モードと結合した磁束量子ビットにおけるBlue sidebandのラビ振動の観測

島津佳弘、高橋真起、中島正揮、岡村夏樹

日本物理学会講演概要集 67 ( 1 ) 718 2012年

DOI

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会共著

4接合型磁束量子ビットにおけるエネルギー準位間の遷移シミュレーション

川原眞実加、島津佳弘、白崎良演

日本物理学会講演概要集 67 ( 1 ) 718 2012年

DOI

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会共著

その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/jpsgaiyo/67.1.4/0/67.1.4_718_2/_article/-char/ja/

4接合磁束量子ビットのラビ振動シミュレーション

川原眞実加、島津佳弘、白崎良演

日本物理学会2012年秋季大会講演概要集第４分冊 643 2012年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）共著

Simulation of an asymmetric lineshape of a resonant dip observed in a switching-current measurement of a superconducting flux qubit

Y. Shimazu, M. Nakajima, M. Takahashi, N. Okamura, K. Yoshiyama

Physics Procedia 27 360 2012年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Tunability of Excited-State Energy Levels of Four-Josephson-Junction Circuit in Crossover from Double-Well to Single-Well Potential

Y. Shimazu

J. Phys. Soc. Jpn. 80 054701 (7 pp) 2011年 [査読有り]

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）単著

Switching-current measurement and switching-probability measurement of resonant peaks in a superconducting flux qubit

Y. Shimazu, M. Nakajima, M. Takahashi, N. Okamura, K. Yoshiyama

Abstracts of 24th International Symposium on Superconductivity 2011年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著

Doublet splitting due to intercell tunneling in three-Josephson- junction flux qubit

Y. Shimazu, K. Ochiai, E. Shinozaki

PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS 470 ( 20 ) 1555 - 1557 2010年11月

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

４個のジョセフソン接合で作られた量子ビットにおける２重井戸から単一井戸へのポテンシャル制御

島津佳弘、落合慧、篠﨑瑛二、中島正揮、高橋真起

第23回量子情報技術研究会資料 172 - 175 2010年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

エネルギーギャップを制御できる４接合量子ビットにおける単一井戸領域の測定

島津佳弘、落合慧、篠﨑瑛二、中島正揮、高橋真起

日本物理学会講演概要集 65 ( 2 ) 635 2010年

DOI

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会単著

その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/jpsgaiyo/65.2.4/0/65.2.4_635_4/_article/-char/ja/

Large tunability of energy gap and energy-level splitting in double-loop four-Josephson-junction flux qubit

Y. Shimazu, K. Ochiai, E. Shinozaki, T. Inayama, M. Nakajima, T. Oouchi, M. Takahashi

Proceedings of 2010 International Symposium on Physics of Quantum Technology 152 2010年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Spectroscopy of Josephson-Junction Flux Qubit with Controllable Energy Gap

Y. Shimazu, Y. Saito, and Z. Wada

J. Phys. Soc. Jpn. 78 ( 6 ) 064708 2009年6月

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：PHYSICAL SOC JAPAN 共著

Four-Josephson-Junction Flux Qubit with Controllable Energy Gap

Y. Shimazu, Y. Saito, and Z. Wada

Journal of Physics: Conference Series 2009年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Characterization of double-loop four-Josephson-junction flux qubit

Y. Shimazu, Y. Saito, Z. Wada

PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS 469 ( 15-20 ) 1608 - 1611 2009年

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

バリア高さを制御できる４接合磁束量子ビットのエネルギー分光

島津佳弘、落合慧、前田憲宏、篠﨑瑛二

日本物理学会講演概要集 .681 2009年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Energy Spectroscopy of Double-Loop Josephson-Junction Flux Qubit

Y. Shimazu, N. Maeta, K. Ochiai, E. Shinozaki, Y. Horikawa, M. Onda, K. Tomita, K. Yamamura

Abstracts of International Symposium on Nanoscale Transport and Technology 194 2009年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Spectroscopy of double-loop four-Josephson junction flux qubit with tunable energy gap

Y. Shimazu, N. Maeta, K. Ochiai, E. Shinozaki, Y. Saito, Z. Wada

Proceedings of 2008 International Symposium on Physics of Quantum Technology 113 2008年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

エネルギーギャップを制御することのできる超伝導磁束量子ビットの実験

島津佳弘、齊藤友貴、和田全平

第18回量子情報技術研究会研究会資料 166 - 169 2008年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）単著

Circulating current in a superconducting loop interrupted by a DC-SQUID with asymmetry

Y. Shimazu,T. Niizeki, Z. Wada, Y. Saito

Physica C 463 1056 - 1059 2007年10月 [査読有り]

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Characteristics of Switchable Superconducting Flux Transformer with DC Superconducting Quantum Interference Device

Y.Shimazu,T.Niizeki

Jpn. J. Appl. Phys. 46 ( 4A ) 1478 - 1481 2007年4月 [査読有り]

DOI Web of Science

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Control of a switching current of a DC-SQUID with an electric current in comparison with control with magnetic field

Proceedings of International Symposium on Magneto-Science 30 2006年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）単著

Fabrication and characterization of a switchable flux transformer using a DC-SQUID

T. Niizeki, Y. Wada

Physica C 445-448 971 2006年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

DC-SQUID構造をもつ制御可能な磁束量子ビット結合回路

新関嵩

「量子ナノ物理学」第２回公開シンポジウム講演概要集 128 2006年 [査読有り]

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Spectroscopy on asymmetric flux qubits coupled inductively

T. Yokoyama, Y. Wada, T. Niizeki, Y. Yamamoto, T. Yoshida, Z. Wada

Abstracts of 1st International Symposium on Nanometer-scale Quantum Physics 95 2005年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著

Observation of persistent current states and excitation in coupled flux qubits

Y. Wada, T. Niizeki, Y. Yamamoto, T. Yoshida, Z. Wada, T. Yokoyama

Abstracts of International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interactions 159 2005年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著

Observation of excitation in asymmetric flux qubits coupled inductively

Y. Wada, T. Niizeki, Y. Yamamoto, T. Yoshida, Z. Wada and T. Yokoyama

Physica E 29 679 2005年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Coupling Effect in Dual Three-Josephson-Junction Loops in Classical Regime

Jounal of Physical Society of Japan 73 ( 7 ) 2004年7月 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）単著

Direct Modification of Electrical and Magnetic Properties of Magnetic Nanostructures by AFM Nano-lithography

K. Watanabe, Y. Takemura, Y. Shimazu and J. Shirakashi

Abstracts of the 9th Joint MMM-INTERMAG Conference 246 2004年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著

Magnetic nanostructures fabricated by AFM nano-lithography technique

K. Watanabe, T. Tamura, Y. Takemura, Y. Shimazu and J. Shirakashi

Conference Digests of IEEE Conference on Nanoscale Devices and System Integration 88 2004年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著

Magnetic nanostructures fabricated by the atomic force microscopy nano-lithography technique

K. Watanabe, Y. Takemura, Y. Shimazu, J. Shirakashi

Nanotechnology 15 ( 10 ) S566 2004年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）単著

Measurement of Kinetic Inductance of Superconduncting Wires and Application for Measuring Flux State of Josephson-Junction Loops

T. Yokoyama

Physica C 412-414 1451 2004年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Continuous measurement of magnetic flux of two qubits with Josephson junctions coupled through mutual inductance

T. Nakano

Abstracts of `Carrier Interactions and Spintronics in Nanostructures' 34 2003年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著

Fabrication of magnetic planar-nanostructures using electron beam lithography and AFM nano-lithography techniques

K. Watanabe, T. Okuda, Y. Takemura, J. Shirakashi

Abstracts of Materials Research Society 2003 FALL MEETING 771 2003年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著

Inductive coupling of two superconducting loops with three Josephson junctions

Physica E 18 23 2003年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）単著

超伝導細線のインダクタンス測定及び結合した磁束量子ビットの実験とシミュレーション

第9回量子情報技術研究会資料 163 - 166 2003年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）単著

Two flux qubits with Josephson junctions coupled through mutual inductance

T. Nakano

Second International Workshop on Quantum Nonplanar Nanostructures & Nanoelectronics 129 2002年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著

Magnetoresistance in the magnetization reversal process of micropatterned Co wires

M. Ohkubo, K. Morinaga

J. Magn. Magn. Mater. 240 17 2002年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Magneto-Thermodynamic Effects in Chemical Reactions

I. Yamamoto, K. Ishikawa, S. Mizusaki, M. Yamaguchi, F. Ishikawa

Jpn. J. Appl. Phys. 41 416 2002年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Magnetic field effect on the equilibrium hydrogen pressure for the PrCo5–H system

I. Yamamoto, S. Mizusaki, K. Ishikawa, F. Ishikawa, M. Yamaguchi

J. of Alloys and Compounds 330-332 56 2002年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Effect of domain walls on resistivity in ferromagnetic films and wires

K. Sakai, T. Noda, I. Yamamoto and M. Yamaguchi

Physica B 284-288 1239 2000年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Resistive Barkhausen Noise at Room Temperature in Thin Ferromagnetic Wires

T. Noda, T. Uchikawa and K. Sakai

Jpn. J. Appl. Phys. 39 458 2000年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Superconductivity Effect on Magnetoresistance in Ferromagnetic Tunnel Junctions

I. Yamamoto and M. Yamaguchi

J. Magn. Magn. Mater. 198-199 76 - 78 1999年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

F. Ishikawa, I. Yamamoto, M. Yamaguchi, Y. Shimazu, T. Goto and H. Mitamura: Magnetic properties of intermetallic compound hydrides and deuterides

F. Ishikawa, I. Yamamoto, M. Yamaguchi, T. Goto and H. Mitamura

J. Alloys and Compounds 293-295 243 1999年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Effect of Superconductivity on Magnetoresistance in Ferromagnetic Tunnel Junctions

F. Ishikawa, I. Yamamoto and M. Yamaguchi

Jpn. J. Appl. Phys. 37 3299 1998年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Magnetic field effects on sol-gel phase changes in aqueous polymers

I. Yamamoto, Y. Matsumoto, M. Yamaguchi, and F.Ishikawa

Physica B 246-247 408 1998年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Chemical equilibrium in magnetic fields for ferromagnetic hydride and hydrogen system

I. Yamamoto, N. Deguchi, M. Yamaguchi, F. Ishikawa and. S. Miura

Physica B 246-247 404 1998年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Itinerant electron metamagnetism in Y1-xZrxCo3

Fumihiro Ishikawa, Masuhiro Yamaguchi, Isao Yamamoto, Yoshihiro Shimazu, M. I. Bartashevich and Tsu … 全著者表示

Physica B: Condensed Matter 246-247 498 1998年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Magnetic field-induced effects on the melting temperatures of polymer gels

Y. Matsumoto, I.. Yamamoto, M. Yamaguchi, Y. Shimazu and F.Ishikawa

Jpn. J. Appl. Phys. 36 1397 1997年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Effects of Tunnel Resistance and Lead Resistance in Ultrasmall Single Tunnel Junctions

Y. Shimazu, T. Yamagata, S. Ikehata and S. Kobayashi

J. Phys. Soc. Jpn. 66 1409 1997年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Effects of Pressure and Magnetic Field on Metal-Insulator Transition of Partially Deuterated (DM-DCNQI)_2 Cu d_3[1,1;1] around Reentrant Metallic Region

T. Ohgi, Y. Shimazu, S. Ikehata and R. Kato

Solid State Commun. 98 1033 - 1037 1996年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Coulomb Blockade and Superconductor-Insulator Transition in Ultrasmall Single Tunnel Junctions

Y. Shimazu, T. Yamagata, S. Ikehata and S. Kobayashi

Czech. J. Phys 46-S4 2289 - 2290 1996年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Environmental Effect on Coulomb Blockade in Ultrasmall Single Tunnel Junctions

Y. Shimazu, T. Yamagata, S. Ikehata and S. Kobayashi

J. Phys. Soc. Jpn. 65 3123 - 3126 1996年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Superconductor-Insulator Transition in Ultrasmall Single Tunnel Junctions

Y. Shimazu, T. Yamagata, S. Ikehata and S. Kobayashi

J. Phys. Soc. Jpn. 65 1906 - 1909 1996年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Environmental Effect on Ultrasmall Josephson Junctions

Y. Shimazu, S. Ikehata and S. Kobayashi

Jpn. J. Appl. Phys 35 3473 - 3477 1996年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Dependence of Coulomb Blockade in Ultrasmall Single Tunnel Junctions on Tunnel Resistance

Y. Shimazu, S. Ikehata and S. Kobayashi:

Physica B 227 102 - 104 1996年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Dependence of Coulomb Blockade in Ultrasmall Tunnel Junctions on Tunnel Resistance

Y. Shimazu, S. Ikehata and S. Kobayashi

J. Phys. Soc. Jpn. 1995年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Magnetic Susceptibility of Compensated Si:P

T. Mori, Y. Shimazu and S. Ikehata

Solid State Commun. 91 13 - 15 1994年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Solid State Commun. 共著

New Cryostat for Applying Uniaxial Stress

Y. Shimazu and S. Ikehata

Jpn. J. Appl. Phys. 33 6054 - 6055 1994年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Measurement of Young's Modulus of Phosphorous-Doped Silicon around the Metal-Insulator Transition

Y. Shimazu and S. Ikehata

Physica B 194-196 1147 - 1148 1994年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

NMR Study on Compensated Si:P

T. Mori, Y. Shimazu and S. Ikehata

J. Phys. Soc. Jpn. 62 3172 - 3180 1993年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Sensitivity Calibration of Surface Barrier Diodes for Soft X-ray Observation of Plasma

M. Sakurai, Y. Shimazu and N. Asakura

Rev. Sci. Instrum. 63 832 - 836 1992年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

Wall conditioning and its effect on RFP plasma performance in REPUTE-1

S. Shinohara, K. Yamagishi, S. Ohdachi, A. Ejiri, K. Mayanagi, Y. Shimazu and K. Miyamoto

Plasma Phys. Control. Fusion (UK) 34 627 - 633 1992年 [査読有り]

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著

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<島津 佳弘>

論文 - 島津 佳弘

<島津　佳弘>

論文 - 島津　佳弘