著書 【 表示 ／ 非表示 】

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• Exploring Bond Strength for Advanced Chiplet with Hybrid Bonding

  Fuse, J.; Iwata, T.; Yoshihara, Y.; Sano, M.; Inoue, F.（ 担当： 共著 ,  範囲: vol28, (1) 39-45）

  Chip Scale Review  2024年3月 

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  記述言語：英語 著書種別：学術書

論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文 【 表示 ／ 非表示 】

• Assessment of the Indium Chemical Mechanical Polishing Mechanism via Corrosion Analysis

  La, MTN; Otake, Y; Inoue, F

  JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY   173 ( 3 )   2026年2月

  DOI Web of Science

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  記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

• ハイブリッド接合におけるウエハ接合強度面内均一性評価法の検討

  小林 大季, 布施 淳也, 佐野 麻理恵, 吉原 佑樹, 井上 史大, 近藤 悠介

  スマートプロセス学会誌   15 ( 1 )   31 - 35   2026年1月

  DOI CiNii Research

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  記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人 スマートプロセス学会 （旧高温学会）   共著  

  Hybrid bonding is a promising fine-pitch vertical interconnection technology for 3D integration and chiplet architecture. However,
  several challenges remain before they can be widely adopted in mass production, one of the most critical being the development of
  precise and robust methods for evaluating bond strength. While the Double Cantilever Beam （DCB） method is commonly used,
  it is limited to characterizing only the edge or bevel regions of the wafer. In this study, we propose Four-Point Bending （4PB） and
  Nanoindentation （NI） as alternative techniques to DCB, capable of assessing bond strength across the entire wafer without requiring
  special sample preparation during the bonding process. Using these methods, we evaluated the uniformity of bond strength in Waferto-
  Wafer （W2W） hybrid bonded samples.

• Defects in Plasma-Activated Amorphous SiO₂ Probed Using Positron Annihilation Spectroscopy

  Uedono, A; Hasunuma, R; Kitagawa, H; Yoshihara, Y; Inoue, F; Mihara, K; Aoki, S; Hare, T; Mori, K; … 全著者表示

  ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS   7 ( 23 )   10761 - 10767   2025年12月

  DOI Web of Science

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  記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

• Indium Deposition on Copper and Ruthenium Seed Layers with Distinct Electrochemical and Microstructural Behaviors

  La, MTN; Otake, Y; Goundar, JA; Inoue, F

  JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY   172 ( 12 )   2025年12月

  DOI Web of Science

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  記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

• 分離と再統合による半導体集積の新潮流：チップレットの役割

  井上 史大

  エレクトロニクス実装学会誌   28 ( 6 )   511 - 515   2025年9月

  DOI CiNii Research

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  記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人エレクトロニクス実装学会   単著  

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総説・解説記事等 【 表示 ／ 非表示 】

総説・解説記事等 【 表示 ／ 非表示 】

• Assessing Queue Time in D2W Hybrid Bonding Through Precise Bond Strength Measurements

  Yuki, Y; Fuse, J; Aoki, S; Hare, T; Mihara, K; Miyoshi, T; Yamamoto, N; Teranishi, S; Fukushima, T; … 全著者表示

  2025 IEEE 75TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE, ECTC   878 - 884   2025年

  DOI Web of Science

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  記述言語：その他外国語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   共著  

• Wet-chemical Cu Cleaning for Fine-Pitch Hybrid Bonding

  Nakayama, K; Hayama, K; Tanaka, F; Dewilde, S; Deckers, S; Heylen, N; Tanaka, Y; Okazaki, Y; Gan, N … 全著者表示

  2025 IEEE 75TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE, ECTC   1859 - 1863   2025年

  DOI Web of Science

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  記述言語：その他外国語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   共著  

• Novel Bonding Interfacial Material for Carrier Wafer of BSPDN & Reconstructed D2W Integration

  Kitagawa, H; Yamamoto, T; Lee, J; Machida, S; Yuasa, K; Inoue, F

  2025 IEEE INTERNATIONAL INTERCONNECT TECHNOLOGY CONFERENCE, IITC   2025年

  DOI Web of Science

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  記述言語：その他外国語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   共著  

• Material-Mechanistic Interplay in SiCN Wafer Bonding for 3D Integration

  Kitagawa, H; Sato, R; Ebiko, S; Nagata, A; Ahn, C; Kim, Y; Kang, J; Uedono, A; Inoue, F

  ACS OMEGA   10 ( 25 )   27575 - 27584   2025年

  DOI Web of Science PubMed

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  記述言語：その他外国語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   共著  

• Factors determining bond wave speed in wafer bonding

  Sato, R; Nagata, A; Kitagawa, H; Ogata, R; Myalitsin, A; Inoue, F

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   64 ( 3 )   2025年

  DOI Web of Science

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  記述言語：その他外国語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   共著  

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受賞 【 表示 ／ 非表示 】

受賞 【 表示 ／ 非表示 】

• 第37回 独創性を拓く 先端技術大賞　経済産業大臣賞

  2024年07月   産経新聞社   ハイブリッド接合の開発と省電力チップレット集積技術への適用  

  受賞者：井上史大

• 令和６年度科学技術分野の文部科学大臣表彰【若手科学者賞】

  2024年04月   文部科学省  

  受賞者：井上史大

• IEEE EPS Outstanding Young Engineer Award

  2022年06月   IEEE Electronics Packaging Society  

  受賞者：井上史大

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  【受賞に関する記事・報道】 https://univ-journal.jp/171520/ https://www.keguanjp.com/kgjp_keji/kgjp_kj_etc/pt20220711000003.html

• SEMIスタンダード：2025年テクニカルコミッティー賞

  2026年01月   SEMI Japan  

  受賞者：井上史大

• JAFOE2025 Best Speaker Award

  2026年01月   Engineering Academy of Japan  

  受賞者：Fumihiro Inoue

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共同研究希望テーマ 【 表示 ／ 非表示 】

共同研究希望テーマ 【 表示 ／ 非表示 】

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担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

• 2026年度   先端半導体製造特論

  大学院先進実践学環

• 2026年度   マイクロ・ナノ加工学特論

  大学院理工学府

• 2026年度   集積プロセススタジオＢ

  大学院理工学府

• 2026年度   集積プロセススタジオA

  大学院理工学府

• 2026年度   加工システム製作B

  大学院理工学府

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その他教育活動及び特記事項 【 表示 ／ 非表示 】

その他教育活動及び特記事項 【 表示 ／ 非表示 】

• 2025年03月

  　

  　

  優秀論文表彰   (学生の学会賞等の受賞実績)

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  受賞者：中山航平 指導教員：井上史大 受賞研究：Minimizing Recess of Cu Pad on Hybrid Bonding with SiCN via Non-selective Chemical Mechanical Polishing and Post-cleaning Steps 授与者：公益財団法人マザック財団 受賞日：2024(R6)年月日

• 2025年01月

  　

  　

  Mate 2025 優秀発表賞   (学生の学会賞等の受賞実績)

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  受賞者：小林 大季（理工学府M1) 指導教員：井上史大 受賞研究：ウエハ接合強度の面内均一性測定の検討 授与者：スマートプロセス学会エレクトロニクス生産科学部会 受賞日：2025(R7)年1月28日～29日

• 2024年06月

  　

  　

  JPCAshow2024　アカデミックプラザ賞   (学生の学会賞等の受賞実績)

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  受賞者：近藤 悠介／布施 淳也／吉原 佑樹／岩田 知也／佐野 麻理恵／井上 史大 受賞研究：ハイブリッド接合における接合強度と界面評価 授与者：一般社団法人日本電子回路工業会 https://www.jpcashow.com/show2024/jp/event/academic_award.html

• 2023年11月

  　

  　

  Best Student Presentation Award   (学生の学会賞等の受賞実績)

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  受賞者：中山航平（横浜国立大学大学院理工学府博士課程前期1年） 指導教員：井上　史大 受賞研究：Optimization of Pre-Bonding Surface for Cu/SiCN Hybrid Bonding 授与者：International Conference on Planarization/CMP technology 受賞日：2023(R5)年11月2日 https://www.ynu.ac.jp/hus/engk2/31004/detail.html

メディア報道 【 表示 ／ 非表示 】

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• チップレット集積の課題は山積み、うかうかできない日本企業

  日経BP  日経XTECH  2024年2月

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  執筆者：本人以外 

• 「後工程から日本の半導体を盛り返したい」…横浜国立大准教授が3D集積技術に挑む

  日刊工業新聞  日刊工業新聞　ニュースイッチ  2024年2月

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  執筆者：本人以外