著書 【 表示 ／ 非表示 】

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• Exploring Bond Strength for Advanced Chiplet with Hybrid Bonding

  Fuse, J.; Iwata, T.; Yoshihara, Y.; Sano, M.; Inoue, F.（ 担当： 共著 ,  範囲: vol28, (1) 39-45）

  Chip Scale Review  2024年3月 

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  記述言語：英語 著書種別：学術書

論文 【 表示 ／ 非表示 】

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• 横浜国立大学・井上先生の取り組み

  井上 史大, 今井 正芳

  精密工学会誌   91 ( 7 )   731 - 734   2025年7月

  DOI CiNii Research

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  記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会   共著  

• Material-Mechanistic Interplay in SiCN Wafer Bonding for 3D Integration

  Kitagawa Hayato, Sato Ryosuke, Ebiko Sodai, Nagata Atsushi, Ahn Chiwoo, Kim Yeounsoo, Kang Jiho, Ue … 全著者表示

  ACS Omega   10 ( 25 )   27575 - 27584   2025年6月

  CiNii Research

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  記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Chemical Society   共著  

  Wafer bonding is a step in processing of state-of-theartintegration architectures in CMOS devices. Sufficiently high bonding strength and low distortion with high alignment accuracy are essential to realize these device structures. A challenge in realizing advanced architectures is reducing the thermal history associated with the bonding process. Although much research has been conducted on wafer bonding methods compatible with the latest semiconductor manufacturing processes, discussions on the interface mechanisms during low temperature annealing have been insufficient. In this study, plasma-activated bonding was carried out using SiCN, which is a major bonding dielectric material. The bonding strength and water remaining at the interface were subsequently evaluated. We found that a SiCN film achieved greater bonding strength after post bond annealing at a low temperature of 250 °C and completely consumed the interfacial water. Analyses of the surface and interface revealed the carbon bonding leads to great bonding interface by low-temperature annealing.

• Material-Mechanistic Interplay in SiCN Wafer Bonding for 3D Integration

  Kitagawa, H; Sato, R; Ebiko, S; Nagata, A; Ahn, C; Kim, Y; Kang, J; Uedono, A; Inoue, F

  ACS OMEGA   10 ( 25 )   27575 - 27584   2025年6月

  DOI Web of Science PubMed

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  記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

• Direct Physical Vapor Deposition of Liquid Metal on Treated Metal Surface

  Matsuda, R; Isano, Y; Onishi, K; Ota, H; Inoue, F

  ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS   7 ( 9 )   3656 - 3666   2025年4月  [査読有り]

  DOI Web of Science

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  記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

• Direct Physical Vapor Deposition of Liquid Metal on Treated Metal Surface

  Matsuda Ryosuke, Isano Yuji, Onishi Koki, Ota Hiroki, Inoue Fumihiro

  ACS Applied Electronic Materials   7   A - K   2025年4月

  CiNii Research

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  記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Chemical Society   共著  

  Liquid metal has garnered significant interest as a potential stretchable wiring material for next-generation stretchable electronics. The operation of substrates within these electronics necessitates adherence to three primary criteria for the wiring of electronic substrates to facilitate the integration of stretchable circuits in society. First, the wiring’s top surface must remain exposed to allow for the straightforward attachment of electronic components following the wiring fabrication. Second, the design of the wiring pattern should not be subject to significant constraints. Third, the substrate’s top surface needs to be clean and devoid of excess conductive material to mitigate the risk of unintended short-circuits. Previous studies have not introduced a liquid metal patterning method that meets all of these criteria. Physical vapor deposition (PVD) is commonly employed for depositing hard metals on nonstretchable substrates such as silicon and glass. However, when subjected to direct PVD, liquid metal forms independent nanoparticles, losing conductivity due to its exceptionally high surface tension and the presence of surface oxide films. Consequently, the direct deposition of liquid metals without subsequent physical stimulation, such as the application of pressure, has been deemed challenging. In our study, we enhanced the substrate surface’s wettability by treating it with copper chloride, thereby facilitating the direct deposition of liquid metals onto the substrate surface. The oxide film on the liquid metal’s surface is disrupted upon contact with the copper chloride-treated substrate, enabling the nanoparticles to coalesce and establish electrical connectivity, thereby preserving conductivity even when stretched. The resultant stretchable wiring exhibited a fine line width of approximately 50 μm and a thin film thickness of approximately 1 μm, ensuring a robust bond with the substrate surface. Consequently, this wiring technique supports diverse patterning designs when combined with processing methods such as photolithography.

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総説・解説記事等 【 表示 ／ 非表示 】

総説・解説記事等 【 表示 ／ 非表示 】

• Morphological characterization and mechanical behavior by dicing and thinning on direct bonded Si wafer

  Inoue, F. and Podpod, A. and Peng, L. and Phommahaxay, A. and Rebibis, K.J. and Uedono, A. and Beyn … 全著者表示

  Journal of Manufacturing Processes   58   811 - 818   2020年  [査読有り]

  DOI Web of Science Scopus

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  記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   共著  

• Film Characterization of Low-Temperature Silicon Carbon Nitride for Direct Bonding Applications

  Nagano, F. and Iacovo, S. and Phommahaxay, A. and Inoue, F. and Sleeckx, E. and Beyer, G. and Beyne … 全著者表示

  ECS Journal of Solid State Science and Technology   9 ( 12 )   2020年  [査読有り]

  DOI Web of Science Scopus

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  記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   共著  

受賞 【 表示 ／ 非表示 】

受賞 【 表示 ／ 非表示 】

• 令和６年度科学技術分野の文部科学大臣表彰【若手科学者賞】

  2024年04月   文部科学省  

  受賞者：井上史大

• 第37回 独創性を拓く 先端技術大賞　経済産業大臣賞

  2024年07月   産経新聞社   ハイブリッド接合の開発と省電力チップレット集積技術への適用  

  受賞者：井上史大

• 第30回半導体・オブ・ザ・イヤー2024 半導体製造装置部門 優秀賞

  2024年06月   電子デバイス産業新聞（発行：株式会社産業タイムズ社）   「新たなチップ集積手法によるDie-to-Wafer ハイブリッド接合技術の開発  

  受賞者：井上史大

• Best Student Award

  2023年11月   ICPT2023  

  受賞者：Kohei Nakayama

• MES2022　ベストペーパー賞

  2023年09月   エレクトロニクス実装学会   ハイブリッド接合に向けた化学機械研磨中の金属腐食挙動の解析  

  受賞者：岩田 知也、中山 航平、布施 淳也、蛯子 颯大、大西 洸輝、北川 颯人、井上 史大（横浜国立大学）

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共同研究希望テーマ 【 表示 ／ 非表示 】

共同研究希望テーマ 【 表示 ／ 非表示 】

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担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

• 2025年度   先端半導体製造特論

  大学院先進実践学環

• 2025年度   集積プロセススタジオＢ

  大学院理工学府

• 2025年度   集積プロセススタジオA

  大学院理工学府

• 2025年度   加工システム製作B

  大学院理工学府

• 2025年度   加工システム製作A

  大学院理工学府

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その他教育活動及び特記事項 【 表示 ／ 非表示 】

その他教育活動及び特記事項 【 表示 ／ 非表示 】

• 2025年03月

  　

  　

  優秀論文表彰   (学生の学会賞等の受賞実績)

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  受賞者：中山航平 指導教員：井上史大 受賞研究：Minimizing Recess of Cu Pad on Hybrid Bonding with SiCN via Non-selective Chemical Mechanical Polishing and Post-cleaning Steps 授与者：公益財団法人マザック財団 受賞日：2024(R6)年月日

• 2025年01月

  　

  　

  Mate 2025 優秀発表賞   (学生の学会賞等の受賞実績)

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  受賞者：小林 大季（理工学府M1) 指導教員：井上史大 受賞研究：ウエハ接合強度の面内均一性測定の検討 授与者：スマートプロセス学会エレクトロニクス生産科学部会 受賞日：2025(R7)年1月28日～29日

• 2024年06月

  　

  　

  JPCAshow2024　アカデミックプラザ賞   (学生の学会賞等の受賞実績)

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  受賞者：近藤 悠介／布施 淳也／吉原 佑樹／岩田 知也／佐野 麻理恵／井上 史大 受賞研究：ハイブリッド接合における接合強度と界面評価 授与者：一般社団法人日本電子回路工業会 https://www.jpcashow.com/show2024/jp/event/academic_award.html

• 2023年11月

  　

  　

  Best Student Presentation Award   (学生の学会賞等の受賞実績)

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  受賞者：中山航平（横浜国立大学大学院理工学府博士課程前期1年） 指導教員：井上　史大 受賞研究：Optimization of Pre-Bonding Surface for Cu/SiCN Hybrid Bonding 授与者：International Conference on Planarization/CMP technology 受賞日：2023(R5)年11月2日 https://www.ynu.ac.jp/hus/engk2/31004/detail.html

メディア報道 【 表示 ／ 非表示 】

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• チップレット集積の課題は山積み、うかうかできない日本企業

  日経BP  日経XTECH  2024年2月

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  執筆者：本人以外 

• 「後工程から日本の半導体を盛り返したい」…横浜国立大准教授が3D集積技術に挑む

  日刊工業新聞  日刊工業新聞　ニュースイッチ  2024年2月

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  執筆者：本人以外