井上　史大 (イノウエ　フミヒロ)

INOUE Fumihiro

所属組織

総合学術高等研究院

職名

教授

研究キーワード

三次元実装、先端パッケージングの要素技術

ホームページ

https://inoue.ynu.ac.jp/

関連SDGs




 https://orcid.org/0000-0003-2292-846X

写真a

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学位 【 表示 ／ 非表示 】

  • 博士（工学） - 関西大学

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学内所属歴 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2026年4月
    -
    現在

    専任   横浜国立大学   総合学術高等研究院   教授  

  • 2021年4月
    -
    2026年3月

    専任   横浜国立大学   大学院工学研究院   システムの創生部門   准教授  

  • 2026年4月
    -
    現在

    併任   横浜国立大学   先端科学高等研究院   教授  

  • 2026年4月
    -
    現在

    併任   横浜国立大学   総合学術高等研究院   半導体量子集積エレクトロニクス研究センター   教授  

  • 2024年4月
    -
    2026年3月

    併任   横浜国立大学   総合学術高等研究院   半導体量子集積エレクトロニクス研究センター   准教授  

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学外略歴 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2011年3月
    -
    2014年10月

      imec   滞在研究員

  • 2013年4月
    -
    2014年10月

      東北大学   日本学術振興会特別研究員

  • 2014年10月
    -
    2021年3月

      imec   研究員

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著書 【 表示 ／ 非表示 】

  • Exploring Bond Strength for Advanced Chiplet with Hybrid Bonding

    Fuse, J.; Iwata, T.; Yoshihara, Y.; Sano, M.; Inoue, F.（ 担当： 共著 ,  範囲: vol28, (1) 39-45）

    Chip Scale Review  2024年3月 

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    記述言語：英語 著書種別：学術書

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論文 【 表示 ／ 非表示 】

  • Thermally stable, low-temperature Si-Si bonding with suppressed void formation for μLHP-integrated 3D ICs

    Jiang, DP; Hashimoto, M; Kurosaki, M; Ueno, A; Sano, M; Inoue, F; Nagano, H; Tada, M

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 ( 16 )   2026年8月

    DOI Web of Science

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

  • Degradation mechanisms for copper interconnects and approaches to increasing reliability

    Ueno, K; Inoue, F

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 ( 15 )   2026年8月

    DOI Web of Science

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

  • Surface Chemistry Effects on Bond Wave Dynamics and Distortion-Induced Scaling Errors during Plasma-Activated Direct Bonding of SiCN

    Sato, R; Nagata, A; Ogata, R; Kim, Y; Kim, H; Shin, JH; Myalitsin, A; Inoue, F

    ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS   8 ( 9 )   4294 - 4303   2026年5月

    DOI Web of Science

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

  • Surface Chemistry Effects on Bond Wave Dynamics and Distortion-Induced Scaling Errors during Plasma-Activated Direct Bonding of SiCN

    Sato Ryosuke, Nagata Atsushi, Ogata Ryota, Kim Youngjun, Kim Haeri, Shin Jong Han, Myalitsin Anton, … 全著者表示

    ACS Applied Electronic Materials   8 ( 9 )   4294 - 4303   2026年4月

    DOI CiNii Research 学術情報リポジトリ

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Chemical Society   共著  

    Hybrid bonding is an important aspect of advanced three-dimensional integration. However, as the Cu pad pitch is scaled down, wafer-scale alignment accuracy becomes increasingly limited due to postbonding in-plane displacement (IPD), which appears as overlay loss and scaling mismatch across the wafer. The present work investigated the factors governing bond-front (that is, bond wave) propagation, wafer-scale distortion, and bond strength during wafer-level direct bonding in association with SiCN films produced using plasma-enhanced chemical vapor deposition. In trials employing N2 or O2 plasma activation, the bonding characteristics were correlated with surface chemical states. The bond-front speed remained nearly unchanged with variations in the plasma conditions, whereas the extent of postbonding IPD increased markedly when using the N2 plasma, indicating a larger risk of field-dependent overlay errors and systematic scaling distortion in conjunction with fine-pitch hybrid bonding. In contrast, the bond strength was maximized by N2 plasma treatment at 100 W. Surface and interface analyses suggested that the N2 plasma generated both −NH and C-based surface groups that promoted interfacial reactions, enabling high bond strength but simultaneously amplifying local reaction-driven distortions. Conversely, the O2 plasma generated a more uniform, SiO2-like surface, leading to bonding with reduced IPD and improved wafer-scale alignment stability, albeit with lower strength than was obtained using the optimal N2 plasma conditions. These results demonstrate a trade-off relationship between strength and alignment rooted in surface chemistry and provide guidelines for the optimization of fine-pitch hybrid bonding for the fabrication of next-generation devices.

  • Assessment of the Indium Chemical Mechanical Polishing Mechanism via Corrosion Analysis

    La, MTN; Otake, Y; Inoue, F

    JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY   173 ( 3 )   2026年2月

    DOI Web of Science

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

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総説・解説記事等 【 表示 ／ 非表示 】

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受賞 【 表示 ／ 非表示 】

  • 第37回 独創性を拓く 先端技術大賞　経済産業大臣賞

    2024年07月   産経新聞社   ハイブリッド接合の開発と省電力チップレット集積技術への適用  

    受賞者：井上史大

  • 令和６年度科学技術分野の文部科学大臣表彰【若手科学者賞】

    2024年04月   文部科学省  

    受賞者：井上史大

  • IEEE EPS Outstanding Young Engineer Award

    2022年06月   IEEE Electronics Packaging Society  

    受賞者：井上史大

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    【受賞に関する記事・報道】 https://univ-journal.jp/171520/ https://www.keguanjp.com/kgjp_keji/kgjp_kj_etc/pt20220711000003.html

  • SEMIスタンダード：2025年テクニカルコミッティー賞

    2026年01月   SEMI Japan  

    受賞者：井上史大

  • JAFOE2025 Best Speaker Award

    2026年01月   Engineering Academy of Japan  

    受賞者：Fumihiro Inoue

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共同研究希望テーマ 【 表示 ／ 非表示 】

  • 三次元実装

  • 半導体プロセス

  • ハイブリッド接合

  • 化学機械研磨

  • 半導体めっき

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担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2026年度   先端半導体製造特論

    大学院先進実践学環

  • 2026年度   マイクロ・ナノ加工学特論

    大学院理工学府

  • 2026年度   集積プロセススタジオＢ

    大学院理工学府

  • 2026年度   集積プロセススタジオA

    大学院理工学府

  • 2026年度   加工システム製作B

    大学院理工学府

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その他教育活動及び特記事項 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2025年03月
    　
    　
    優秀論文表彰   (学生の学会賞等の受賞実績)

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    受賞者：中山航平 指導教員：井上史大 受賞研究：Minimizing Recess of Cu Pad on Hybrid Bonding with SiCN via Non-selective Chemical Mechanical Polishing and Post-cleaning Steps 授与者：公益財団法人マザック財団 受賞日：2024(R6)年月日

  • 2025年01月
    　
    　
    Mate 2025 優秀発表賞   (学生の学会賞等の受賞実績)

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    受賞者：小林 大季（理工学府M1) 指導教員：井上史大 受賞研究：ウエハ接合強度の面内均一性測定の検討 授与者：スマートプロセス学会エレクトロニクス生産科学部会 受賞日：2025(R7)年1月28日～29日

  • 2024年06月
    　
    　
    JPCAshow2024　アカデミックプラザ賞   (学生の学会賞等の受賞実績)

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    受賞者：近藤 悠介／布施 淳也／吉原 佑樹／岩田 知也／佐野 麻理恵／井上 史大 受賞研究：ハイブリッド接合における接合強度と界面評価 授与者：一般社団法人日本電子回路工業会 https://www.jpcashow.com/show2024/jp/event/academic_award.html

  • 2023年11月
    　
    　
    Best Student Presentation Award   (学生の学会賞等の受賞実績)

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    受賞者：中山航平（横浜国立大学大学院理工学府博士課程前期1年） 指導教員：井上　史大 受賞研究：Optimization of Pre-Bonding Surface for Cu/SiCN Hybrid Bonding 授与者：International Conference on Planarization/CMP technology 受賞日：2023(R5)年11月2日 https://www.ynu.ac.jp/hus/engk2/31004/detail.html

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メディア報道 【 表示 ／ 非表示 】

  • チップレット集積の課題は山積み、うかうかできない日本企業

    日経BP  日経XTECH  2024年2月

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    執筆者：本人以外 

  • 「後工程から日本の半導体を盛り返したい」…横浜国立大准教授が3D集積技術に挑む

    日刊工業新聞  日刊工業新聞　ニュースイッチ  2024年2月

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    執筆者：本人以外 

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