柯　夢南 (カ　ムナン)

KE Mengnan

所属組織

総合学術高等研究院

職名

准教授

研究キーワード

電気電子材料工学、半導体デバイス、MOSFET


写真a

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学歴 【 表示 ／ 非表示 】

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    東京大学   修士課程（博士前期課程）   卒業

  • 　
    　
    　

    東京大学   博士課程   修了

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学位 【 表示 ／ 非表示 】

  • 博士（工学） - 東京大学

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学内所属歴 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2025年1月
    -
    現在

    併任   横浜国立大学   大学院理工学府   数物・電子情報系理工学専攻   電気電子ネットワーク   准教授  

  • 2025年1月
    -
    現在

    専任   横浜国立大学   総合学術高等研究院   准教授  

  • 2025年4月
    -
    現在

    併任   横浜国立大学   先端科学高等研究院   准教授  

  • 2025年1月
    -
    現在

    併任   横浜国立大学   理工学部   数物・電子情報系学科   電子情報システム   准教授  

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学外略歴 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2021年12月
    -
    2024年12月

      千葉大学   助教

  • 2018年10月
    -
    2021年11月

      東京理科大学   助教

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所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2019年1月
    -
    現在
     

    IEEE

  • 2015年6月
    -
    現在
     

    応用物理学会

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研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

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研究経歴 【 表示 ／ 非表示 】

  • 縦型Ge/TMDCヘテロ界面トンネルFETの開発と物理機構の解明

    科学研究費補助金  

    研究期間： 2023年4月 - 2026年3月

  • Ge MOS界面の遅い準位特性解明と密度低減手法確立更なる次世代デバイスへの応用

    科学研究費補助金  

    研究期間： 2020年4月 - 2023年3月

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論文 【 表示 ／ 非表示 】

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受賞 【 表示 ／ 非表示 】

  • 丹羽保次郎記念論文賞

    2024年12月   丹羽保次郎記念  

    受賞者：柯夢南

  • 安田幸夫賞

    2024年02月   第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会  

    受賞者：小島 拓也，堀場 大輔, 柯 梦南, 青木 伸之

  • 高柳健次郎研究奨励賞

    2024年   高柳健次郎財団  

    受賞者：柯夢南

  • IEEE TOWERS Supporter's Group Award

    2023年10月   第20回IEEE Transdisciplinary-Oriented Workshop for Emerging Researchers  

    受賞者：鶴岡大樹、青木伸之、柯夢南

  • IEEE APCCAS 2020 Best Paper Award

    2020年12月   16th IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems  

    受賞者：K. Koike, K.Suzuki, M. Ke, K. Mori, T. Ito and Takayuki Kawahara

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科研費（文科省・学振）獲得実績 【 表示 ／ 非表示 】

  • ナノ秒パルス伝導解析が拓く２次元ヘテロ構造における非平衡キャリアダイナミクス

    2023年9月 - 2027年3月

    国際共同研究加速基金(海外連携研究)

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    担当区分：研究分担者 

  • 縦型Ge/TMDCヘテロ界面トンネルFETの開発と物理機構の解明

    2023年5月 - 2025年3月

    若手研究

  • Ge MOS界面の遅い準位特性解明と密度低減手法確立更なる次世代デバイスへの応用

    2020年4月 - 2023年3月

    若手研究

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    担当区分：研究代表者 

  • 高性能Ge-MOSFET実現のため高信頼High-k/Geゲートスタック形成技術

    2018年4月 - 2020年3月

    特別研究員奨励費

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    担当区分：研究代表者 

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研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

  • MOS Interfaces of Emerging Channel Materials

    M. Ke*  [招待有り]

    Conference of Science & Technology for Integrated Circuits (CSTIC), Shanghai, China 

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    開催年月日： 2026年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Application of F6-TCNNQ Deposition on WSe2 to CFET Structure Devices

    松田 健生, 野口 裕士, 榎本 璃玖, 瀬戸 大暉 , 柯 梦南 , 熊谷 翔平, 岡本 敏宏 , 青木 伸之

    第31回電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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    開催年月日： 2026年1月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

  • Effect of Ozone Treatment on Interface Properties in MIS Capacitors and FETs Based on Thin-Film WSe2

    岩崎 天星, 柯 梦南, 青木 伸之

    第31回電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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    開催年月日： 2026年1月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • Direct Growth of High-κ Dielectrics on WSe₂ via ALD: Interface Control by UV-O₃ Treatment

    榎本 璃玖, 松田 健生, 柯 梦南, クリューガー ピーター, 青木 伸之

    第31回電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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    開催年月日： 2026年1月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • Investigation of Channel Length Effects on Interface Trap Density Extraction in CVD-Grown Monolayer MoS2/Al2O3 MOSFETs Using the Conductance Method

    中村 志穂, 林 早陽, 玉 虓, 青木 伸之, 柯 梦南

    第31回電子デバイス界面テクノロジー研究会 

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    開催年月日： 2026年1月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

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担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2026年度   先端集積システム設計F

    大学院理工学府

  • 2026年度   先端集積システム設計S

    大学院理工学府

  • 2026年度   集積エレクトロニクスコロキウムⅡ

    大学院理工学府

  • 2026年度   集積エレクトロニクスコロキウムⅠ

    大学院理工学府

  • 2026年度   電気電子ネットワークコロキウムⅡ

    大学院理工学府

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