研究経歴 【 表示 ／ 非表示 】

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• 縦型Ge/TMDCヘテロ界面トンネルFETの開発と物理機構の解明

  科学研究費補助金  

  研究期間： 2023年4月 - 2026年3月

• Ge MOS界面の遅い準位特性解明と密度低減手法確立更なる次世代デバイスへの応用

  科学研究費補助金  

  研究期間： 2020年4月 - 2023年3月

論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文 【 表示 ／ 非表示 】

• A Comprehensive Study on the Polarization, Reliability, and Switching Dynamics of Helium Ion-Bombardment HfZrO_<i>x</i> Ferroelectric Films

  Du, PY; Liu, H; Li, DY; Jin, CJ; Zhang, HR; Wang, D; Ding, Y; Chen, B; Cheng, R; Ke, MN; Liu, Y; Yu … 全著者表示

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   72 ( 7 )   3521 - 3527   2025年7月

  DOI Web of Science

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  記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

• Back-End-of-Line Compatible HfO₂/ZrO₂ Superlattice Ferroelectric Capacitor With TiO₂Seed Layer for Enhanced Ferroelectricity

  Liu, H; Li, DY; Gong, Z; Du, PY; Yu, F; Jin, CJ; Ke, MN; Yu, X; Liu, Y; Hao, Y; Han, GQ

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   72 ( 2 )   665 - 670   2025年2月

  DOI Web of Science

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  記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

• The Effect of User-Defined Mid-Air Gestures Elicited by On-Screen Visual Properties on Human Biomechanics, Behaviour, and Perception

  Huang, JH; Wang, MY; Mao, LJ; Wang, RB; Zhang, DL; Qi, MY; Ke, MM

  INTERNATIONAL JOURNAL OF HUMAN-COMPUTER INTERACTION   2024年12月

  DOI Web of Science

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  記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

• Comprehensive Understanding of the Mobility Scattering Mechanisms and Evaluation of the Universal Mobility in Ultra-Thin-Body Ge-OI p-and n-MOSFETs

  Su, R; Chen, Z; Ke, MN; Gao, DW; Schwarzenbach, W; Nguyen, BY; Li, JK; Zhang, R

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   71 ( 10 )   5801 - 5806   2024年10月

  DOI Web of Science

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  記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

• Contact Properties on a Semiconducting MoTe₂ Crystal Using Polymorphic Structures

  Xie, TS; Ke, MN; Krüger, P; Ueno, K; Aoki, N

  ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS   6 ( 9 )   7026 - 7034   2024年9月

  DOI Web of Science

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  記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著  

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総説・解説記事等 【 表示 ／ 非表示 】

総説・解説記事等 【 表示 ／ 非表示 】

• Reduction of MOS Interface Defects in TiN/Y₂O₃/Si₀.₇₈Ge₀.₂₂ Structures by Trimethylaluminum Treatment

  Tsung-En Lee and Mengnan Ke and Kasidit Toprasertpong and Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi

  IEEE Transactions on Electron Devices   67 ( 10 )   4067 - 4072   2020年10月

  DOI

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  記述言語：その他外国語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE})   単著  

• Reduction of Slow Trap Density in Al2O3/GeO x N y /n-Ge MOS Interfaces by PPN-PPO Process

  Mengnan Ke and Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi

  IEEE Transactions on Electron Devices   66 ( 12 )   5060 - 5064   2019年12月

  DOI

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  記述言語：その他外国語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE})   単著  

• Slow Trap Properties and Generation in Al2O3/GeOx/Ge MOS Interfaces Formed by Plasma Oxidation Process

  Mengnan Ke and Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi

  ACS Applied Electronic Materials   1 ( 3 )   311 - 317   2019年3月

  DOI

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  記述言語：その他外国語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：American Chemical Society ({ACS})   単著  

• Impact of Atomic Layer Deposition High k Films on Slow Trap Density in Ge MOS Interfaces With GeOx Interfacial Layers Formed by Plasma Pre-Oxidation

  Mengnan Ke and Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi

  IEEE Journal of the Electron Devices Society   6   950 - 955   2018年

  DOI

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  記述言語：その他外国語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE})   単著  

担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

• 2025年度   応用物理コロキウムⅠ

  大学院理工学府

• 2025年度   電子情報システム基礎実験Ⅱ

  理工学部

• 2025年度   応用物理コロキウムⅡ

  大学院理工学府

• 2025年度   先端集積システム解析F

  大学院理工学府

• 2025年度   先端集積システム解析S

  大学院理工学府

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