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所属組織 |
総合学術高等研究院 |
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職名 |
特任教員（教授） |
学位論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Chemical Contamination Control in ULSI Processing
嵯峨幸一郎
2006年7月
学位論文（博士） 単著 [査読有り]
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Depth Profile Analysis of Metals Gettered by Oxide Precipitates in Silicon Substrates
Saga, K and Ohno, R
ECS Journal of Solid-State Science and Technology 6 ( 5 ) 231 - 234 2017年5月 [査読有り]
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 共著
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Deep Levels in W-Doped Czochralski Silicon
Simoen, E ; Saga, K ; Vrielinck, H ; Lauwaert, J
ECS Journal of Solid-State Science and Technology 4 ( 5 ) P3001 - 3007 2016年5月 [査読有り]
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 共著
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Behavior of Transition Metals Penetrating Silicon Substrate through SiO2 and Si3N4 Films by Arsenic Ion Implantation and Annealing
Saga, K; Ohno, R ; Shibata, D ; Kobayashi, S ; Sueoka, K
ECS Journal of Solid-State Science and Technology 4 ( 5 ) 131 2015年5月 [査読有り]
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 共著
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Effect of Wafer Rotation on Photoresist Stripping in Supercritical CO_2
SAGA K.
Solid State Phenomena 134 355 - 358 2008年 [査読有り]
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 単著
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Wafer Cleaning Using Supercritical CO_2 in Semiconductor and Nanoelectronic Device Fabrication
SAGA K.
Solid State Phenomena 134 97 2008年 [査読有り] [招待有り]
担当区分：筆頭著者, 最終著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 単著
総説・解説記事等 【 表示 ／ 非表示 】
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嵯峨 幸一郎, 岩元 勇人
材料の科学と工学 : 日本材料科学会誌 56 ( 2 ) 49 - 54 2019年
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要） 出版者・発行元：東京 : 日本材料科学会 ; 2002- 共著
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嵯峨 幸一郎
表面科学 37 ( 3 ) 110 - 115 2016年 [査読有り] [依頼有り]
担当区分：筆頭著者, 最終著者, 責任著者 記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（大学・研究所紀要） 出版者・発行元：公益社団法人 日本表面科学会 単著
Metal impurities dissolved in silicon can cause “recombination centers”, which degrade retention characteristics of DRAMs, produce dark current in CMOS image sensors, and cause leakage of current in high-voltage transistors. In consideration of these problems, methods of controlling metallic contamination (including the removal, prevention, and gettering) in advanced ULSI manufacturing are reviewed. In particular, for controlling yield of the devices, the better understanding of the behavior and electrical activities of metal impurities diffusing in and penetrating into silicon is important. The gettering design based on the physical properties of metal species is also proposed.
研究発表 【 表示 ／ 非表示 】
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Metallic Contamination Control in CMOS image Sensor Processing and Analytical Techniques
Koichiro Saga [招待有り]
The 2026 International Conference on Frontiers of Characterization and Metrology for Nanoelectronics (FCMN) NIST
開催年月日： 2026年3月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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Metrology and Inspection Technologies to Accelerate Next-Generation ULSI Device Development
Koichiro Saga [招待有り]
SEMI テクノロジーシンポジウム2025 SEMI
開催年月日： 2025年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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Metallic Contamination Control in CMOS image Sensor Processing
Koichiro Saga [招待有り]
THE 17th SYMPOSIUM ON ULTRA CLEAN PROCESSING (UCPSS 2025) IMEC
開催年月日： 2025年9月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
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Ion Implanted Photoresist Stripping in Supercritical CO_2
SAGA K.
Proc. 8^<th> Int'l Symposium on Supercritical Fluids (ISSF2006) 2006年
開催年月日： 2006年
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
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SSRM測定の空間分解能の測定荷重依存性
吉際 潤, 嵯峨 幸一郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019年2月 公益社団法人 応用物理学会
開催年月日： 2019年2月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）